2013年9月11日下午，科学技术部高新技术发展及产业化司杨咸武副司长一行视察、调研半导体所，高新司信息与空间处处长李莉等陪同考察。

　　半导体所陈弘达副所长致欢迎辞，杨咸武副司长一行听取了科研处鉴海防处长关于我所科研总体情况的介绍及祝宁华副所长题为“光电子技术的需求与发展趋势”的工作报告。并与参与座谈的一线科研人员就“863计划”未来科技规划等内容进行交流和讨论，并对科研人员所提出的问题一一作了深入细致的回答，会议在自由热烈的氛围中进行。最后杨咸武副司长对我所能够紧密围绕国家需求，尤其是在关键领域的重大技术需求开展研究工作表示赞赏。他说，半导体所在半导体材料、器件特别是光电子领域有着很好的研究基础，在下一步工作中应该继续紧密围绕国家的需求，有计划的开展研究工作，推动我国科技的发展与进步。

　　杨咸武副司长一行还参观了光电子器件国家工程中心与半导体照明研发中心，在光电子器件国家工程中心考察了大功率半导体激光器的研制情况。在半导体照明研发中心，重点考察了半导体照明重大装备的研发情况。

　　参加调研的还有科技部高新司信息与空间处的王春恒调研员、问斌副处长等。我所参与此次座谈与调研的有李晋闽研究员、马骁宇研究员、鲁华祥研究员、刘峰奇研究员、韩勤研究员、林学春研究员、潘教青研究员等。