半导体所集成技术中心召开2012年终工作总结报告会
2013年2月1日,集成技术中心30余名职工在3号楼320会议室召开年终工作总结会。会议由副主任王晓东老师主持。
首先,杨富华老师感谢大家在2012年的辛勤工作,然后简要介绍了集成技术中心的争取经费情况、新增设备情况和重点项目进展情况,勉励大家有积累,更要有爆发,希望在新的一年中不仅要提高技术服务水平,更要获得有显示度的成果。王志明主任希望大家新的一年能再接再励,提高中心设备的开放程度,争取更多用户和项目。
2012年中心的设备仪器在满足所内以及区域中心和科学院研究试验工作的基础上,加大提供公共服务的力度,在保证完成科研服务的基础上努力提高仪器设备的社会效益,为更多的顾客提供需要的技术支持和服务。截止2012年,共接待院内20个研究所,32所大学以及大量科研单位和企业的工艺技术服务工作。仪器设备使用总机时超过8万小时,共享机时超过7万小时,其中所内各个部门的使用时间占了50%以上。绝大部分设备仪器安装了刷卡系统,加强了预约设备的规范化管理,提高了服务机时统计的效率。2012年中心新增了SUSS公司的MA6光刻机、光谱椭偏仪、金属ICP刻蚀设备、FIB刻蚀设备、金属热蒸发系统、激光退火设备等。完成了离子注入、键合设备和LPCVD设备的功能改造。
中心职工报告了本年度的工作情况,包括光刻、电子束光刻、ICP刻蚀、介质膜沉积及溅射、金属蒸发退火、氧化、离子注入等等一系列技术进展,相关同志还对承担的国家科技项目、企业合作项目和所外加工项目做了汇报。
2012年度集成技术中心取得了多项具有特色的技术研发进展,包括高性能圆盘谐振器、射频MEMS振荡器、基于微纳谐振子的新型生化传感器、具有量子限制效应的无结纳米线晶体管、5nm的横向PCRAM、叉指结构的MEMS 陀螺仪、4H-SiC 肖特基二极管、GaAs/Si晶片键合、压力传感器、图形衬底等。发表SCI论文13篇,申请专利9项,授权专利21项。
最后,杨富华老师和王志明主任做了总结,对2013年工作提出了新的要求。