应集成中心何志研究员的邀请，美国伦斯勒理工学院（Rensselaer Polytechnic Institute）功率电子系统中心RPI园区主任周达成教授于2012年12月18日来半导体所黄昆论坛做题为“Progress in High Voltage SiC and GaN Power Switching Devices”学术报告。

周达成，Rensselaer Polytechnic Institute(RPI)终身教授，功率电子系统中心RPI园区主任。IEEE Fellow。1982年,RPI,电子工程博士学位。从事功率半导体器件研究超过25年,在分离器件和智能开关器件研究领域享有盛誉。特别是在IIIV族宽禁带材料（SiC和GaN）半导体器件的研究方面，开发出众多创新结构和器件，是这一领域的先驱者，并主持多项DAPRA，Army Collaborative Tech Alliance，ONR PEBB，SiC MURI项目。拥有17项国际专利,在国际权威学术杂志发表论文过百篇，在相关教科书中编写了八个技术章节。他在工业界和学术界具有相当的影响力。多次在Electron Device Society担任主席， ISPSD， Intl.Symposium on SiC and Related Mat. 国际会议中担任主席，并担任Trans. on Electron Devices副主编。担任美国NSF下属的功率电子系统工程中心RPI园区主任，主持先进功率半导体器件领域的工作。同时担任美国国家科学基金、加拿大国家研究委员会和香港科技大学项目评审。

此次报告的主要内容包括：新兴的宽禁带半导体SiC和GaN由于其自身材料特性的优势，特别适合于制备功率电子器件。现在基于SiC和GaN的新生代功率器件已经进入商业化。报告还介绍和展示应用于高压功率开关的SiC和GaN基整流器和晶体管的最新进展。报告中指出，与SiC功率器件相比，在多大的电压和功率范围内，GaN功率器件将会具有竞争力甚至明显的优势。

报告结束后，在座科研人员及研究生踊跃提问，并对他们各自感兴趣的内容与周达成教授进行了深入的交流。