半导体所等在莫尔异质结层间激子研究方面取得进展
半导体所举行2023年开学典礼暨研究生入所教育大会
半导体所在高功率、低噪声量子点DFB单模激光器研究方面取得重要进展
半导体所召开主题教育专题民主生活会
半导体所等在手性分子产生自旋极化研究中取得新进展
半导体所召开党委理论学习中心组学习(扩大)会
半导体所组织学习贯彻中国科学院2023年夏季党组扩大会议精神
【中国科学院院刊】抢占“镓体系”半导体科技制高点 助力实现光电子信息产业的...
半导体所观测到各向异性平面能斯特效应
中国科学院副院长阴和俊调研半导体研究所
官方微信
友情链接

半导体所2012年专利撰写培训交流会圆满结束

2012-10-22

为了满足半导体所研究生及科研人员专利撰写的需求,进一步普及知识产权方面的相关知识,提高科研人员专利撰写水平,促进研究所的科技创新与知识产权保护。2012年10月19日,成果管理与转化中心在学术报告中心成功举办了专利撰写培训交流会,100余名研究生和科研人员参加了此次培训。

首先,任岩老师深入介绍了撰写专利方面的相关内容。分别就专利说明书、权利要求书以及技术交底书的撰写要求及技巧等方面做了详细而系统的介绍,并对一些典型问题进行了深入分析。

随后,科研人员围绕知识产权保护和专利撰写中遇到的实际问题与主讲老师进行了交流和互动。

通过本次的培训和交流,为今后大家撰写专利提供了指导,避免在申请过程中的误区。通过今后不断的学习,逐步提高我所专利撰写质量和数量,为我所的科研成果做好保驾护航。今后在征得发明人同意的前提下,将就具体专利申请稿当场修改的形式进行解说,相信对提高专利撰写质量会更加有效。

此外,为加强科研道德风尚和知识产权教育,特发放《中华人民共和国专利法》作为读本,供大家学习参考,进一步了解知识产权法规,为更好的撰写专利文章奠定良好基础。



关于我们
下载视频观看
联系方式
通信地址

北京市海淀区清华东路甲35号(林大北路中段) 北京912信箱 (100083)

电话

010-82304210/010-82305052(传真)

E-mail

semi@semi.ac.cn

交通地图
版权所有 中国科学院半导体研究所

备案号:京ICP备05085259-1号 京公网安备110402500052 中国科学院半导体所声明