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高技术研究与发展局副局长刘桂菊一行对半导体所信息功能材料进行专项调研

2010-12-21

 

12月20日下午,高技术研究与发展局副局长刘桂菊一行来访半导体所,对半导体所信息功能材料进行专项调研,与半导体所所长李晋闽,副所长俞育德、陈弘达,党委副书记张春先以及半导体所材料方面的专家等进行了座谈交流。座谈会由半导体所科技开发处处长郑婉华主持。

李晋闽所长首先致欢迎辞,他代表半导体所对刘桂菊一行的来访表示热烈欢迎,感谢院高技术研究与发展局一直以来对半导体所的支持,希望今后继续关心、支持和指导半导体所的工作。

陈弘达副所长做了题为《信息功能材料——半导体材料发展规划》的专题报告。从半导体材料发展规划思路、主要发展方向和我院优势三个方面系统介绍了半导体材料发展规划。

刘桂菊副局长对半导体所材料方面的工作给予了充分肯定,并希望半导体所发挥多方力量,加强装备建设,为信息材料发展提供平台支持,为我国半导体材料科学建设以及培养优秀科技人才等方面继续做出积极贡献。

参加座谈会的还有高技术研究与发展局材料化工处处长曹红梅,材料化工处主管王希、崔勇、邓安民;半导体所所长助理王晓亮,科技开发处副处长李平、段瑞飞、徐彦之,材料科学重点实验室副主任刘峰奇,纳米光电子实验室马文全研究员,光电子研究发展中心赵德刚研究员,材料科学重点实验室杨涛和徐波研究员以及科技开发处沈连成博士。

                                          

 

 



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