1月8日，中共中央、国务院在北京隆重举行国家科学技术奖励大会。党和国家领导人习近平、李克强、张高丽、王沪宁出席大会并为获奖代表颁奖。李克强代表党中央、国务院在大会上讲话。张高丽主持大会。半导体研究所共获得奖励4项，分别为是国家自然科学奖二等奖1项、国家技术发明奖二等奖2项、国家科技进步奖二等奖1项。

“新型半导体深能级掺杂机制研究”荣获国家自然科学奖二等奖。项目主要完成人：李京波、盖艳琴、康俊、李树深、夏建白。该项目针对宽禁带半导体材料、二维半导体材料和半导体纳米器件能带结构特点，系统地研究了几类重要的半导体材料与器件的掺杂机理和性能预测，发展出一种基于第一性原理大元胞的并行计算方法应用于半导体掺杂系统，指导GaN和ZnO等第三代半导体材料的p型掺杂技术、异质结器件的结构设计，为提高TiO2基材料的光催化效率和未来制备自旋电子器件提供理论指导依据，为新型二维半导体材料的掺杂机制与输运性质的研究以及器件应用都具有重要的指导意义。

 “光纤输出高功率全固态激光器关键技术及应用”项目荣获国家技术发明奖二等奖。项目主要完成人：林学春、罗虹、林培晨、李达、赵鹏飞、刘燕楠。该项目历经十多年自主研发攻关，在光纤输出高功率全固态激光器关键技术、激光器工程化技术、激光焊接和表面淬火等技术领域取得一系列创新性成果，项目授权发明专利56项，解决了我国在高功率全固态激光器领域核心专利缺失的问题，有力地支撑了产业发展，成果广泛应用于北京奔驰、奇瑞汽车等汽车产业，提升了国产汽车的核心竞争力。

“低发散角半导体光子晶体激光器关键技术及应用” 项目荣获国家技术发明奖二等奖。项目主要完成人：郑婉华、渠红伟、王宇飞、马长勤、王海玲、刘安金。该项目通过在现有半导体激光器外延材料和器件结构中引入光子晶体结构，攻克了半导体光子晶体激光器的理论模拟方法、结构设计、外延材料生长、工艺制备和封装测试等一系列自主关键技术，实现了电子能带与光子模场的联合调控，在保持激光高效率输出的同时，输出光束的方向和模式得到极大改善，可不经整形直接使用，使光学系统大为简化。项目发表SCI论文80篇、授权国家发明专利35项、软件著作权3项。

“光网络用光分路器芯片及阵列波导光栅芯片关键技术及产业化” 荣获国家科技进步奖二等奖。项目主要完成人：安俊明、吴远大、胡雄伟、胡家艳、钟飞、王红杰、张家顺、王亮亮、李建光、宋琼辉、凌九红、尹小杰、吴凡。该项目团队经过十多年潜心研究，光分路器芯片及AWG芯片设计、工艺及产业化取得了全面突破，设计并制备出1×N 和2×N (N最大可达128)两大系列20余个品种的PLC光分路器芯片及AWG芯片，建成国内规模最大的光分路器及AWG生产线，近三年新增销售额7.01亿元，新增利润0.85亿元，推广应用企业新增销售额50多亿，新增利润4亿元。产品广泛应用于国内外FTTH及光传输网建设中，打破了国外对我国光分路器芯片的垄断，填补了国内空白，为“宽带中国战略”顺利实施做出了重要贡献。

据悉，国家科学技术奖励每年评审一次，包括国家自然科学奖、国家技术发明奖、国家科学技术进步奖“三大奖”，此外，还包括授予外籍科学家或外国组织的中华人民共和国国际科学技术合作奖，以及分量最重的国家最高科学技术奖。根据2017年5月最新发布的《关于深化科技奖励制度改革的方案》的有关规定，三大奖每年授奖总数不超过300项。

“新型半导体深能级掺杂机制研究”荣获国家自然科学奖二等奖

“低发散角半导体光子晶体激光器关键技术及应用” 项目荣获国家技术发明奖二等奖

“光网络用光分路器芯片及阵列波导光栅芯片关键技术及产业化” 荣获国家科技进步奖二等奖

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