2013年2月21日，北京市委、市政府隆重召开2012年度北京市科学技术奖励大会，会上宣布了 2012年度北京市科学技术奖获奖项目共184项，其中一等奖27项；二等奖53项；三等奖104项。

　  半导体所三项科研成果 “高性能大功率LEDs外延、芯片及应用集成技术”、“高性能GaN外延材料”及“大功率激光二极管及组件”分别荣获北京市科学技术一、二、三等奖。

　  此次获奖，不仅提升了我所在相关科技领域的影响力，而且为推动“人文北京、科技北京、绿色北京”的地方建设做出了贡献，同时激励我所科研人员继续弘扬勇于创新、求真务实的科研精神，为进一步提升我所科研水平，全面实现“十二五”目标做出更大贡献。

　  附：我所获2012年北京市科学技术奖项目：

　  1.项目名称：高性能大功率LEDs外延、芯片及应用集成技术

　  获奖等级：一等奖

　  主要完成人：李晋闽、王国宏、王军喜、伊晓燕、刘喆、梁毅、杨富华、曾一平、王良臣、刘志强、梁辉妙、王晓东、杨华、赵保红、闫建昌

　  2. 项目名称：高性能GaN外延材料

　  获奖等级：二等奖

　  主要完成人：王晓亮、肖红领、王翠梅、胡国新、王军喜、冉军学、李建平、刘宏新、冯春、姜丽娟、殷海波、陈竑

　  3. 项目名称：大功率激光二极管及组件

　  获奖等级：三等奖

　  主要完成人：马骁宇、刘素平、仲莉、王俊、罗 泓、张海燕