半导体所在高功率、低噪声量子点DFB单模激光器研究方面取得重要进展
中国科学院副院长阴和俊调研半导体研究所
半导体所举行2023届研究生毕业典礼
中国共产党中国科学院半导体研究所召开党员代表大会
半导体所研制出一款超高集成度光学卷积处理器
半导体所在硅上In线的光致相变机理中取得新进展
半导体所发现亚铁磁自旋调控新机理
中科院召开2023年度工作会议
半导体所在激子-声子的量子干涉研究方面取得进展
半导体所召开2022年度工作总结报告会
官方微信
友情链接

半导体所国家最高科技奖获得者黄昆院士获小行星命名

2011-05-04

2011年5月3日下午,国家最高科学技术奖获奖者黄昆、吴孟超、李振声和闵恩泽小行星命名仪式在北京举行。全国政协副主席、科技部部长万钢,中国科学院院长白春礼等出席命名仪式。万部长和白院长分别向吴孟超、李振声、闵恩泽本人和黄昆所在单位代表颁发小行星命名证书和小行星运行轨道铜牌。半导体所党委副书记、副所长李树深代表黄昆先生所在单位领取证书和轨道铜牌。郑厚植院士及半导体所部分师生也参加了命名仪式。

国家最高科学技术奖自1999年设立以来,已评选出18位获奖者。此前,吴文俊、袁隆平、王选、金怡濂、刘东生、王永志、叶笃正和谷超豪8位最高科学技术奖获得者已获得小行星命名。

黄昆,中国科学院院士,国际著名物理学家,中国固体物理学和半导体物理学奠基人之一。1919年9月生于北京。1941年毕业于燕京大学。1948年获英国布里斯托尔大学博士学位。1980年当选为瑞典皇家科学院外籍院士。1985年当选为第三世界科学院院士。中国科学院半导体研究所名誉所长。主要从事固体物理理论、半导体物理学等方面的研究并取得多项国际水平的成果,是中国半导体物理学研究的开创者之一。20世纪50年代与合作者首先提出多声子的辐射和无辐射跃迁的量子理论即“黄-佩卡尔理论”;首先提出晶体中声子与电磁波的耦合振动模式及有关的基本方程(被誉为黄方程)。40年代首次提出固体中杂质缺陷导致 X光漫散射的理论(被誉为黄散射)。证明了无辐射跃迁绝热近似和静态耦合理论的等价性,澄清了这方面的一些根本性问题。获2001年度国家最高科学技术奖。1955年当选为中国科学院院士(学部委员)。黄昆院士于2001年获得中国国家最高科学技术奖。国际小行星中心2010年7月26日发布公报,将第48636号小行星永久命名为“黄昆星”。黄昆院士于2005年逝世。

小行星是目前各类天体中唯一可以根据发现者意愿进行提名,并经国际组织审核批准从而得到国际公认的天体。由于小行星命名的唯一性和永不可更改性,获得小行星命名是国际公认的殊荣。此次以四位中国科学家名字命名的小行星由中科院国家天文台施密特CCD小行星项目组发现并获得国际永久编号,经过国际天文学联合会批准而获正式命名。

万钢在讲话中指出,国家最高科技奖获奖者在长期的科研实践中,矢志追求、勇于创新、勤于奉献,用自己的智慧、勤劳和汗水,为中国科技创新与进步写下了浓墨重彩的一笔。以国家最高科学技术奖获奖者名字命名小行星,不仅是中国和国际天文学界给予这些杰出科学家的褒奖,而且还表达了全社会对国家最高科学技术奖获奖者的崇高敬意!



关于我们
下载视频观看
联系方式
通信地址

北京市海淀区清华东路甲35号(林大北路中段) 北京912信箱 (100083)

电话

010-82304210/010-82305052(传真)

E-mail

semi@semi.ac.cn

交通地图
版权所有 中国科学院半导体研究所

备案号:京ICP备05085259-1号 京公网安备110402500052 中国科学院半导体所声明