2010年5月20日下午2:00，“中科院半导体所天域碳化硅技术研究院”协议书签字仪式在半导体研究所3号楼318隆重举行。广东省东莞市天域半导体科技有限公司董事长欧阳忠、总经理李锡光，中国科学院半导体研究所党委书记陈树堂，科技开发处处长郑婉华、副处长段瑞飞、转移转化主管樊志军，材料中心主任曾一平研究员、碳化硅外延材料负责人孙国胜研究员，半导体集成技术中心季安总工等出席了签字仪式。陈树堂书记代表半导体所签约，李锡光总经理代表天域公司签约。

　  这次成立的“中科院半导体所天域碳化硅技术研究院”，由广东省东莞市天域半导体科技有限公司和中国科学院半导体研究所联合组建。中科院半导体所是我院首批进入知识创新工程单位之一，是集半导体物理、材料、器件及其应用研究于一体的半导体科学技术的综合性研究所，在碳化硅外延材料和器件方面有近十年的技术积累，并首次在国内完成多片SiC双室外延炉研制。广东省东莞市天域半导体科技有限公司，前期投入数千万购置了进口的碳化硅外延设备，并在日本专家的指导下进行碳化硅外延片的生产。
　
　  研究院的成立旨在将民营资本、国有高技术、国际先进技术高效整合的基础上，提升我国碳化硅材料与器件的整体研究与开发的技术实力，打造具有国际先进水平的碳化硅材料与器件研发平台。可以预见，双方共建研究院将综合利用双方优势，开展全面科技合作，共同承担国家和地方科技任务，进行技术开发与应用、项目合作、成果转化、人才培养等全面的合作，坚持应用导向，实现与技术前沿和产业的两个对接，为东莞市的产业转型和经济发展做出贡献，也为半导体所的技术转移转化开辟新的渠道。