近日， 我国教育部公布了“2008年国家优秀自费留学生奖学金”获奖者名单，本年度教育部国家留学基金委员会在全球范围内共评选出305名获奖者，我所与瑞典Chalmers理工大学联合培养的博士生赵欢同学榜上有名。

    赵欢同学是2003级免试推荐入学硕博连读研究生，导师为超晶格实验室牛智川研究员。入学后赵欢同学认真学习基础课程，成绩优秀。进入实验室后在导师指导下开展了“GaAs基长波长量子阱激光器制备研究”。工作中勤奋好学，在较短的时间里完成了InGaNAs量子阱材料退火特性、长波长激光器性能优化等多项重要工作，发表了8篇SCI论文(第一作者4篇)。

    2006年起我所牛智川研究员课题组与瑞典Chalmers理工大学Shumin Wang教授课题组开展了双边合作交流。赵欢同学由于工作出色，于2007年被选派到瑞典联合培养，并顺利申请到了瑞典给予外国留学生的资助。

    在瑞典留学期间，赵欢同学在InGaNAs长波长量子阱材料和高频激光器制备研究方面获得重要进展：1.31微米边发射InGaNAs量子阱激光器的小信号3dB调制带宽在室温下达到13 GHz，是目前国际上已有报道的最好结果；提出了“周期性循环喷氮”法成功生长出1.55微米InGaNAs无应变弛豫量子阱。在瑞典留学期间发表SCI论文10篇(第一作者5篇)，其独立和参与完成的研究成果多次受到国际同行的高度好评和专刊报道。2008年12月，赵欢回国通过了半导体研究所组织的博士论文答辩(答辩会首次邀请了瑞典Anders Larsson和Shumin Wang教授参加)，其论文被一致评价为优秀博士论文。2009年4月赵欢在瑞典顺利通过了瑞典Chalmers大学组织的博士论文答辩，成为进入新世纪以来我研究所首次获得中、外双博士学位的研究生。赵欢同学以优异的学习成绩、出色的国际合作研究成果为我所对外学术交流赢得了良好的国际声誉。

    “国家优秀自费留学生奖学金” 的设立是新时期贯彻“支持留学，鼓励回国，来去自由”留学政策的重要举措，自2003年设立以来获奖人数已达1400余人，受到广大自费留学人员的热烈欢迎和好评，进一步激发了他们刻苦学习、报效祖国的爱国热情。