中共中央、国务院1月10日上午在北京人民大会堂隆重举行国家科学技术奖励大会。党和国家领导人习近平、李克强、刘云山、张高丽出席大会并为获奖代表颁奖。

　　半导体所“高速半导体激光器制备、测试与耦合封装技术”项目荣获国家科学技术发明二等奖，获奖人：祝宁华，余向红，朱洪亮，谢亮，黄晓东。

　　该项目将自主知识产权优势落实到具体产品上,研制了一系列激光器及其模块，如2.5Gb/s、10Gb/s和40Gb/s数字光发射模块，制定了相关行业标准，并实现规模化生产，为华为、中兴、朗讯等国内外主要通信系统商供货。

　　党中央、国务院隆重奖励在我国科学技术事业发展中作出杰出贡献的科技工作者，充分体现了党和国家对我国科学技术事业发展的高度重视和对广大科技工作者的亲切关怀，极大地调动了科研工作者的积极性，希望半导体所科研人员积极申报国家奖，把半导体所各类优秀科研成果更好地展示出去，为我国半导体科技事业做出积极贡献。

1月10日,中共中央、国务院在北京隆重举行国家科学技术奖励大会。

获奖证书

半导体所祝宁华研究员领奖（左起第四位）