11月18日上午，中科院前沿科学与教育局局长许瑞明、副局长刘桂菊以及综合处处长杨永峰、技术科学处处长孔明辉等一行4人来访半导体所，对半导体超晶格国家重点实验室进行调研。半导体所所长、党委书记李树深院士，半导体超晶格国家重点实验室郑厚植院士，夏建白院士，半导体所所长助理杨富华及相关人员参加了调研。会议由杨富华主持。 

　　李树深所长首先代表半导体所对许瑞明局长一行的来访表示欢迎，并就半导体所基本情况、科研进展和发展规划作了简要的汇报。半导体超晶格国家重点实验室副主任姬扬研究员简要介绍了半导体超晶格国家重点实验室的基本情况。 

　　随后，谭平恒研究员、赵建华研究员、常凯研究员、李京波研究员和牛智川研究员先后做了关于二维半导体材料的光电性能研究、新型半导体基垂直磁各向异性材料及器件研究、半导体量子结构中的奇异物性、新型二维强关联材料与微纳器件的研究和InGaAsSb低维材料与量子器件研究的专题报告。 

　　在听取汇报之后，许瑞明局长充分肯定了半导体超晶格国家重点实验室取得的科研成果，同时就半导体超晶格国家重点实验室前沿科学的研究、实验室发展规划和研究生教育等方面与会人员进行了沟通和交流。 

　　许瑞明局长一行还在科研人员的陪同下现场考察了半导体超晶格国家重点实验室。 

　　参加会议的还有半导体所科研管理与质量控制处处长鉴海防、研究生部主任祝素娜，半导体超晶格国家重点实验室王开友研究员、孙宝权研究员、张新惠研究员、吴晓光研究员、吴南健研究员、刘剑研究员和李桂荣研究员。