半导体所在高功率、低噪声量子点DFB单模激光器研究方面取得重要进展
中国科学院副院长阴和俊调研半导体研究所
半导体所举行2023届研究生毕业典礼
中国共产党中国科学院半导体研究所召开党员代表大会
半导体所研制出一款超高集成度光学卷积处理器
半导体所在硅上In线的光致相变机理中取得新进展
半导体所发现亚铁磁自旋调控新机理
中科院召开2023年度工作会议
半导体所在激子-声子的量子干涉研究方面取得进展
半导体所召开2022年度工作总结报告会
官方微信
友情链接

中国科学院半导体研究所举行2013届研究生毕业典礼

2013-06-27
2013年6月24日,我所2013届研究生毕业典礼在学术会议中心隆重举行。所长李树深院士、王占国院士、夏建白院士、副所长陈弘达、副所长祝宁华、学术委员会主任吴晓光、导师代表韩培德、韩勤、马文全、徐波、杨涛、俞育德、张兴旺等出席了典礼仪式。九十余位应届毕业研究生与三十余位学生亲属参加了毕业典礼,典礼由祝宁华副所长主持。

   上午8点30分,毕业典礼在庄严雄壮的国歌声中开幕。李树深所长致辞,他向毕业生们表示热烈祝贺。李所长希望同学们到工作岗位后,尽快适应纷繁复杂的社会和工作状态,争取做出好的成绩。同时他强调毕业生应有一颗感恩的心,感谢父母、兄弟姐妹,感谢老师和朝夕相处的同学。最后李所长用“每饭勿忘亲爱永、有生应感国恩宏”两句话与毕业生共勉,并希望毕业生无论走到哪里,都能关注半导体所的发展,这里永远是他们的家。

   吴晓光主任宣读了2013届毕业生名单,陈弘达副所长宣读了2013年“优秀毕业生”、“三好学生标兵”名单。

   王占国院士代表导师向毕业生致辞,祝贺毕业生完成学业,取得学位。王院士送给毕业生四句话,寄语期望毕业生无论走到哪里都要牢记祖国和人民的重托,抓住机遇,开拓创新,做出原创性的成果;不迷信权威,敢于坚持提出自己的学术思想和见解;充分发挥聪明才智,通过不懈努力,为我国经济结构转型,产业结构升级换代,创新型国家建设做出贡献。把自己的事业同祖国、人民的命运紧密结合起来,才有不懈的斗志和无穷的力量,才能迸发出光和热。在工作中要注意劳逸结合,为祖国健康服务,无论走到哪里半导体所都是毕业生的坚强后盾。

   祝宁华副所长宣读了陈良惠院士的贺词。

   张曙光同学代表毕业生讲话,深情款款的表达了毕业生对半导体所、对教师的感谢和不舍,对家人和朋友的敬意和感恩。

   最后,主席台上就坐的领导、导师一同为毕业生颁发证书并合影留念。

 


关于我们
下载视频观看
联系方式
通信地址

北京市海淀区清华东路甲35号(林大北路中段) 北京912信箱 (100083)

电话

010-82304210/010-82305052(传真)

E-mail

semi@semi.ac.cn

交通地图
版权所有 中国科学院半导体研究所

备案号:京ICP备05085259-1号 京公网安备110402500052 中国科学院半导体所声明