11月26日上午，阴和俊副院长一行对半导体所承担的高技术项目进行调研，并听取了李所长的专题汇报，参观了实验室和高技术成果展品，并与半导体所所长李晋闽、副所长俞育德、陈弘达、副所长、党委副书记李树深、党委副书记张春先和部分科研骨干进行了座谈交流。陪同调研的有高技术局孟丹副局长、库卫群处长、李才兴处长、申荣铉主管、秘书吕远。

李晋闽所长汇报了半导体所“十一五”期间承担的高技术项目情况及取得的重要创新成果，重点汇报了科技重大专项任务的进展以及半导体所“十二五”及“创新2020”规划。

阴和俊副院长参观了材料科学中心、纳米光电子实验室，并观看了InP单晶材料、全固态激光器、高性能集成电路等材料、器件、电路及光跳频通信演示系统等高技术成果展品。他在听取了大家发言后指出，半导体所按照党组要求扎实推进相关工作，成绩显著，在高技术领域发挥了重要作用；在注重基础研究的同时，积极面向和对接国家战略需求；注重同院内外单位积极开展务实合作；注重能力建设和平台建设，面向国家重大战略需求，为研究所持续发展打牢基础，以系统为抓手、以材料促器件的做法充分肯定。

阴和俊副院长强调，目前是我国科技发展的最好时期，国家对科学技术非常重视，各行业尤其是新兴产业、国家安全等领域迫切需要科技支撑，科技关乎整个社会可持续发展。现在科研人员的条件与老一辈科学家相比有了极大改善，更应该珍惜难得机遇，勇挑重担，不辜负国家和人民的希望。

阴和俊副院长对半导体所今后发展提出了建议：第一，要坚持研究所的定位、方向和既定目标不动摇，做好顶层设计；第二，要坚持有所为，有所不为，突出重点；第三，既要坚持基础研究，又要注重应用；第四，要近一步加强院内外的合作，拓宽合作单位和领域；第五，要注重能力建设，包括平台建设、人才队伍和创新文化等方面，争取为国家做出更大贡献。

半导体所参加调研的还有所长助理吴晓光、祝宁华、王晓亮、科技开发处处长郑婉华和机关其它职能处负责人。