王占国院士宣布大会开幕

半导体与集成技术分会秘书长王晓亮研究员主持开幕式

 浙江大学党委副书记邹晓东教授致欢迎辞

 大会副主席杨德仁教授主持邀请报告

王占国院士做邀请报告

　　　　　　  2009年10月27-29日，第十六届全国半导体集成电路、硅材料学术会议在杭州召开。会议由中国电子学会半导体与集成技术分会、电子材料学分会联合主办，浙江大学硅材料国家重点实验室、微电子与光电子研究所共同承办。来自北京大学、浙江大学、河北工业大学、中科院半导体研究所、中科院微电子研究所等单位的科研人员和研究生，以及国内从事相关研发工作的企业代表参加了会议。

　　　  10月28日上午，大会主席、半导体与集成技术分会主任委员王占国院士宣布大会开幕，浙江大学党委副书记邹晓东教授致欢迎辞，半导体与集成技术分会秘书长、大会学术委员会副主席王晓亮研究员主持开幕式并宣读了中国电子学会的贺信。大会邀请报告由大会副主席、浙江大学硅材料国家重点实验室主任杨德仁教授主持，王占国、许居衍、秦国刚三位院士和复旦大学的李名复教授应邀做了大会特邀报告。王占国院士以其细致严谨的科学态度介绍了《新概念太阳能光伏电池研究进展》；许居衍院士用辩证的哲学思想带领与会者把握了《硅——微电子技术的发展脉络》；秦国刚院士以其清晰的思路和简明的语言，通过回顾他们实验室的科研历程，剖析了《几种电激励硅基光源》；李明复教授则从学术角度仔细分析了《Some Issues in Advanced Gate Stack Engineering in CMOS Transistors》。

　　  下午，两个分会场继续进行集成电路设计、半导体器件分会和硅材料、器件工艺、可靠性、封装分会场的报告。在第一个分会场，大会邀请到IEEE Fellow、美国纽约州立大学教授俞滨先生作题为《Towards the Silicon Scaling Limit and Beyond》的报告，俞教授清晰流利的语言和报告新颖丰富的内容给大家留下了深刻印象。浙江大学韩雁教授作了题为《模拟IC低功耗设计方法》的邀请报告，其中介绍的技术在与会者中产生极大反响。参会的报告还有涉及动态比较器、高频VCO、RF前端芯片、高速DAC、RC振荡器等广泛领域。

　　　 29日上午，会议主要讨论功率IC和数字IC的学术问题，长江学者特聘教授盛况先生展示了他在《硅与碳化硅功率集成技术》方面做的科研工作和成果，杭州士兰微电子公司总经理陈向东先生从产业角度同与会者一同展望了《SOI与高压BCD工艺》的发展趋势。下午的会议主要关注ESD防护和半导体集成电路新兴领域的研究进展。华虹NEC公司技术总监朱东园先生和南京大学陈坤基先生分别做了题为《拓展特色工艺，满足集成电路国产化需求》和《基于分裂电荷模式的纳米硅非易失性存储器》的邀请报告。来自我所韩伟华研究员、黄北举博士和博士生魏萌分别作了关于各自研究领域的报告。

　　　  此次会议共收录论文摘要近150篇，特邀报告4篇，小组邀请报告9篇，小组报告72篇，为全国从事半导体集成电路和硅材料相关的研究、开发和生产的科技人员提供了一个广阔的交流平台，与会者深入探讨了国内外半导体集成电路和硅材料的研究现状与发展趋势，进行了充分的学术交流，分享了最新的科研进展，为促进我国在该领域的研究与发展打下良好基础。