2009年9月25日，由我所主办的第二届中日氮化镓基材料与器件联合研讨会在北京胜利召开。此次会议是基于2007年5月由中科院半导体所和日本名古屋工业大学签署的“中日2007年-2012年合作协议”的基础上发起召开的第二届联合研讨会。

　　来自于日本名古屋工业大学、新加坡南洋理工大学、中山大学、中科院半导体所的科研人员及研究生，以及国内从事相关研发工作的企业技术骨干参加了研讨会。会议开始前中科院半导体所的陈弘达副所长和日本名古屋工业大学的江川孝志教授分别代表中方和日方参会代表作了热情洋溢的致辞，并预祝研讨会取得圆满成功。会议开始前，陈弘达副所长代表中科院半导体所向日本名古屋工业大学的江川孝志教授颁发了荣誉教授聘书，希望在今后的科研工作中半导体所能与名古屋工业大学继续开展深层次的合作，并取得显著成果。

　  此次会议使中日参会代表进一步增进了了解，并由此产生了新的合作意愿和计划。参会各方非常满意，将继续在相关材料和器件的研发方面开展优势互补的合作。