由国家半导体照明工程研发及产业联盟主办，中国科学院半导体照明研发中心协办的“半导体照明前沿关键技术培训研讨会”于 2008年1月24日在北京举行。研讨会分别由中国科学院半导体研究所李晋闽所长、上海蓝宝光电材料有限公司梁秉文总经理、北京大学宽禁带半导体研究中心张国义主任、中国科学院半导体研究所王国宏研究员主持。国家半导体照明工程研发及产业联盟吴玲秘书长，国家半导体照明工程研发及产业联盟阮军副秘书长应邀参加了研讨会。

    近年来中国LED产品技术创新与应用开发能力逐渐提高，器件可靠性研究位置越来越突出，测试技术与标准也渐成热点，所有这一切均标志着中国LED产业已经进入了一个崭新的发展阶段。随着近年半导体照明的迅猛发展，特别是应用领域的多方牵引，极大激发了业界对于上中游技术研发的积极性。为了突破产业化的共性关键技术，形成自主知识产权，促进我国人才队伍的培养，应国家半导体照明工程研发及产业联盟常务理事单位—中国科学院半导体研究所倡议，联盟邀请国内从事半导体照明领域研发的著名专家或国家重大项目课题负责人，就有关实现高量子效率的新型外延技术以及高效大功率LED关键工艺技术的部分问题组织专题培训，并围绕半导体照明存在的瓶颈问题及未来关键技术的发展趋势进行培训及研讨，为企业提供技术信息和支持，辐射半导体照明研发成果、搭建产学研各种信息资源交流的平台。

    此次培训研讨会汇聚了全国半导体照明行业技术负责人和技术骨干代表76人，他们分别来自北京、上海、山东、大连、广州、杭州、福建、天津、河北、深圳、武汉等地区，包括大学、研发机构、企业等26家单位。在研讨会上，中科院物理研究所周均铭教授作了题为《采用新的量子阱结构提高LED的内量子效率》的报告；清华大学电子系罗毅教授作了题为《高效大功率GaN基LED材料外延生长及其制备》的报告；北京大学宽禁带半导体研究中心张国义教授作了题为《垂直结构芯片制备技术动态》的报告；中科院半导体所王良臣研究员作了题为《高效大功率LED芯片关键工艺技术》的报告；中科院半导体所王军喜研究员作了题为《白光LED材料相关专利进展》的报告；有研稀土新材料股份有限公司庄卫东研究员作了题为《LED用荧光粉技术专利进展与分析》的报告；中科院半导体所王国宏研究员介绍了《半导体照明研发平台建设》的概况。研讨会期间，参会代表在中科院半导体所王国宏研究员、杨富华研究员的陪同下参观了中科院半导体照明研发中心。