中科院常务副院长白春礼、高技术局局长阴和俊、基础局副局长黄勇一行于12月6日上午视察半导体所。

    白春礼先后视察了半导体集成技术工程研究中心、全固态激光器课题组、超晶格国家重点实验室、材料中心、光电子研发中心、所展室。

    李晋闽所长首先汇报了研究所工作：半导体所总体概况(研究团队、人才队伍、专利和授权、可持续发展和平台建设、成果转化、院地合作项目、资产状况、创新文化建设、国际交流等)；创新二期成果；三期创新主要任务；“十一五”争取国家科研任务情况。

    在科技人员座谈会上，夏建白院士、陈涌海研究员分别汇报了“半导体纳米电子学研究进展”、“半导体纳米结构材料和量子器件”科研工作。王守觉院士、王启明院士、陈良惠院士、陈树堂书记、杨富华研究员分别介绍了基础研究、技术积累的延续性、纳米光电子实验室工作、设备运行、平台建设等工作，并提出建议。

    白春礼在听取汇报后说，半导体所几十年的积累，出了很多成果、人才，黄昆院士获得国家最高科学技术奖是杰出的代表。近几年，半导体所在科研成果、人才和研究生培养等方面成绩不错，2004年专利申请京区第一，2005年专利申请全国院所第一，半导体所有的论文在重要国际会议做报告，说明在论文质量上有影响力，取得这些成绩可喜可贺!

    白春礼指出，半导体所是高技术口的研究所，有很好的基础研究基础，要重视基础性、前瞻性的工作和积累，为技术创新应用的后劲和延续性打好基础。今年三期创新要求，进入创新的研究所要拿出经费支持前瞻性工作，要重视前瞻性工作，希望半导体所在三期创新基地启动实施中，动员全所力量承担国家重大研究，提供经费支持，以项目承担出成果，出人才，在基础和前瞻方面做技术支持。半导体所在加工、测试上有长期的积累，现在很缺少精确测量的方法及理论，半导体所提出新方法、新工具，院里会给予支持。

    在谈到纳米科研工作时，白春礼指出，纳米计划要瞄准重大科学和技术问题，不能低水平重复。半导体所要充分利用原有纳米方向的设备，把平台利用起来，半导体所有很好的基础，要凝练瞄准最关键技术问题。有好的建议院里会给予支持。

    白春礼最后指出，半导体所不是纯基础研究所，又不是纯高技术研究所，有长期的积累，可以起到独特作用，有这样一个得天独厚的基础，如何发挥，要好好研究。半导体所在设备上消耗大，如何解决，院里会充分考虑。希望半导体所在三期取得更大成绩，院里会一如既往支持半导体所。