报告题目: 掺稀土硅基半导体纳米光电材料及其在LED方面的应用

报 告 人:赵新为教授（东京理科大学物理系 系主任）

报告摘要: 近年来氧化物半导体材料发光器件、稀磁掺杂、光催化剂效应和太阳能电池领域引起了越来越多的重视。特别是与硅基纳米技术的结合，更赋予了这组传统材料以新的功能和应用前景。报告人近十年来一直致力于氧化钛、氧化锌半导体光磁材料的制备与应用研究，对上述领域都有涉及。今天，报告人希望能就掺稀土氧化物半导体材料的发光中心的机理与精细结构、高效率发光材料的制备以及其在半导体发光器件方面的应用做一个介绍，并就一些新的尝试和思路，与各位同仁做一个探讨。

报告人简介: 赵新为，男，汉族，教授，博导。1982年毕业于天津大学电子工程系半导体物理与器件专业， 1985年获日本国立东京大学电子工学硕士学位，1988年获东京大学工学博士学位。1989年回国任教，历任南开大学讲师，副教授。1990-1991年在东京大学任客员研究员。1992-1999年任日本理化学研究所研究员。2000年起任教于日本东京理科大学。现任该校物理系教授，系主任。2009年受聘为天津市特聘讲座教授。赵新为的研究领域包括结晶生长、半导体激光器及光电器件，半导体纳米材料与器件，纳米磁性材料，太阳能电池和新能源等。近年来对光磁半导体材料、一维量子线和复杂系科学领域多有涉及。