报告题目：面向不同电路应用的硅基纳米尺度新器件技术的研究与展望

报告时间：2011年12月27日(周二) 上午9：00

报告地点：中科院半导体所学术会议中心

报告人：黄如教授(北京大学信息科学技术学院副院长、微电子学系系主任)

报告摘要：随着集成电路特征尺寸进入纳米尺度，短沟效应、强场效应、隧穿效应、参数涨落等问题对器件性能的影响愈来愈突出；不同应用中尺寸缩小带来的影响也不相同。本报告主要介绍针对纳米尺度集成电路存在的系列问题、面向不同电路应用要求(逻辑/存储/射频应用)的新器件技术进展，包括新结构器件、新工作机制器件、相关新工艺等方面，并讨论未来IC技术的发展趋势。

报告人简介：黄如：北京大学教授、博士生导师，北大信息科学技术学院副院长，微电子学系系主任。教育部长江特聘教授，国家杰出青年科学基金获得者、新世纪百千万人才工程国家级人选。任《中国科学》(F辑)副主编、《半导体学报》编委、《IEEE Transaction on Electron Devices》editor、《Nanotechnology》editor、IEEE EDS Adcom member。研究工作主要集中在纳米尺度新型半导体器件、工艺技术及相关应用技术等方面。先后主持了20余项国家973课题、重大专项课题、863课题、国家自然科学基金重点和面上项目、电子预研等科研项目以及与三星、英特尔、富士通、Motorola等公司的多项国际合作项目。已合作出版著作4本，发表学术论文200余篇，包括IEDM会议、VLSI会议、EDL和T-ED上的40余篇文章；申请76项发明专利，其中45项获得授权；应邀在国际会议上做了近20次大会报告和特邀报告。并任国际会议ICSICT 2012大会共主席、ICSICT 2004/ICSICT 2008程序委员会主席、IEDM 2010/IEDM 2011程序委员会委员、以及其他多个重要国际会议的程序委员会委员。曾获国家技术发明二等奖、北京市科学技术一等奖、中国青年科技奖、教育部科技进步一等奖、教育部霍英东青年教师奖、信息产业部科技进步二等奖等国家和部委级奖励。