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第136期:Spin Injection and Relaxation in Organic Semiconductors

2011-03-01
报告题目: Spin Injection and Relaxation in Organic Semiconductors

报告人: Prof. Yongli Gao(高永立)(University of Rochester, USA, and Central South University(中南大学), Changsha, Hunan, China)

报告时间: 2011年3月2日(星期三)上午10:00

报告地点: 中国科学院半导体研究所学术沙龙室(1号楼107)

Abstract:It is observed that there can be a strong spin valve effect in organic materials, showing that organic materials can be promising for spintronics applications. The mechanism and efficiency of spin injection into organic materials, however, is largely unknown. Using spin- and time-resolved two-photon photoemission (STR-2PPE) spectroscopy, we have investigated spin injection from Co and GaAs to organic semiconductor copper phthalocyanine (CuPc). With STR-2PPE, the dynamics of both electron and spin relaxation can be studied with femtosecond time resolution and high surface sensitivity. We observed that the spin injection efficiency for hot electrons in is high, ~90% from Co to CuPc. We also observed that the spin polarization increases with time at low energies, revealing scattering processes that can be strongly energy-dissipating but spin-preserving.

报告人简介:高永立,恢复高考制度后中南矿冶学院(现中南大学)(77级)本科生。1980年参加首届CASPEA公派留美物理学博士生资格考试,以优异成绩入美国普度大学深造。美国普度大学物理学博士(1986),美国明尼苏达大学博士后研究员(1986-88),美国罗切斯特大学助理教授(1988-1994)、副教授(1994-1999)、正教授(1999-至今)。自2011年1月起,受聘中南大学超微结构与超快过程研究所主任。已发表论文200余篇于自然-材料(Nature-Materials)、物理评论快报(PRL)、物理评论(PRB)、应用物理快报(APL)及其它国际刊物上, 其中包括应美国邀请纂写学科综述文章或书籍专章8篇,SCI引用4000余次。30余次应邀请于国际会议上作学术报告,50余次应邀请于美国、中国、日本、德国、瑞士各大学或研究机构演讲。主要研究领域为有机半导体表面及界面的电子结构,有机半导体薄膜的形成和形态,金属及半导体中飞秒级电子动力学和有机半导体界面的电子自旋注入。主要工作成果包扩系统地研究及阐明了碱基金属在有机半导体中掺杂的电子结构的机理,系统地研究了金属和有机半导体界面电子态的形成并建立了独创性的模型,通过实验测量及计算机模拟解释了有机半导体薄膜生长中形成的fractal mount, 最先发现并解释了金属原子对有机半导体中激子的淬灭现象,开创了用飞秒级双光子光电子能谱对金属及半导体中电子动力学的研究。

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