瑞典隆德大学固体物理部的徐洪起教授将于4月26日下午来我所学术交流，并在“黄昆半导体科学技术论坛”上作第120期报告，望相关领域的科研人员及研究生准时参加!

报告题目: Spin States and Spin correlation in Semiconductor Quantum Dots

报 告 人: Professor Hongqi Xu （Division of Solid State Physics, Lund University, Sweden）

时间: 2010年4月26日(星期一) 下午15:00

地点: 中国科学院半导体研究所学术沙龙室

Abstract: I will report our recent studies of spin physics and spin-correlation phenomena in semiconductor quantum dots. The devices were fabricated from InGaAs/InP semiconductor heterostructures and from InSb semiconductor nanowires. Spin states, effective g-factors, spin-orbit interaction energy, and exchange energy were measured for the fabricated quantum dots. We also studied strong correlation phenomena in the fabricated quantum dot devices. In addition to both odd-number electron and even-number electron Kondo effects,

we observed a new spin-correlation-induced phenomenon in InSb quantum dot devices, namely the conductance blockade at the degeneracy of two orbital states with the same spin. We attribute this conductance blockade to the effect of electron interference between two equivalent, strongly correlated, many-body states in the quantum dots.

报告人简介：

徐洪起教授现任职于瑞典 Lund 大学固体物理系，是该系量子输运与纳米器件组的负责人。1982 年于大连理工大学获学士学位，1985 年赴瑞典留学，1991年于 Lund 大学获博士学位。1993 年于Lund 大学工作至今，历任助理教授 (1995年)、副教授 (2001年)和教授(2003年)。主要研究领域为半导体低维量子结构物理和纳米电子学。近几年主要贡献包括提出和建立了基于弹道效应的纳电子器件及集成电路原理，采用 InGaAs/InP 半导体异质结研制出室温下工作的多种弹道纳电子器件和线路；采用半导体异质结制作了单量子点和多量子点器件，建立了二端电子波导体系中自旋输运应遵守的对称约束关系，发展了处理自旋输运的散射矩阵方法；成功制作出 InSb 半导体纳米线量子点，观察到该量子点中的巨 g 因子和非常规强关联效应；发明了一个全新的纳米线太阳能电池原理。在国际学术期刊上发表论文 130 余篇，主持申请专利 2 项。于2006 年至 2009 年担任瑞典研究局工程物理委员会的委员，从 2001年起受聘担任欧盟科技专家，是数个国家和地区研究项目评审专家和 30 多个国际学术期刊的审稿人。在中科院物理所、中科院半导体所、大连理工大学等多所院校（所）担任过客座教授，于 2004年获中科院海外知名学者称号。

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