由北京市政府和中国科学院共同主办的“2008诺贝尔奖获得者北京论坛”将于11月11日在人民大会堂隆重开幕，此次论坛的主题是“信息与创新”。2000年诺贝尔物理学奖获得者，俄科院副院长，中科院半导体所荣誉教授，阿尔菲罗夫教授将参加此次论坛，并作战略报告。在北京论坛举办之际，北京市政府和中国科学院将安排阿尔菲罗夫教授访问我所，作报告，并同青年学者面对面的交流。

报告题目：A short history of the semiconductor heterostructures research and some important conclusions from it

报告人: Zhores I. Alferov (2000年诺贝尔物理学奖获得者；俄罗斯科学院副院长)

报告时间：2008年11月13日(星期四) 上午 9:30

报告地点：中国科学院半导体研究所学术会议中心

报告人简介：若尔斯·伊万诺维奇·阿尔费罗夫(Zhores Ivanovich ALFEROV)于1930年3月15日出生于苏联白俄罗斯的维捷布斯克。他于1952年毕业于列宁格勒V.I. Ulyanov(列宁)电子技术学院电子系。他获得了两个科学学位：1961年技术科学候选人以及1970年物理数学博士学位-两个学位都是Ioffe研究所授予的。在1970-1971年度，他作为访问学者在美国伊利诺斯大学学习进修。自1962年开始，他致力于III-V半导体异质结构领域的研究。他对物理学和III-V半导体异质结构技术，特别是在喷射特性、激光器的开发、太阳能电池、发光二极管、取向方法等方面作出了杰出贡献。现代异质结构物理学和电子学因此而创立。由于他在这方面所取得的成就，阿尔费罗夫教授获得苏联、俄罗斯与国际许多奖项和荣誉会员称号以及2000年的诺贝尔物理学奖。1990年，阿尔费罗夫教授被选为苏联科学院(后改名为俄罗斯科学院)的副院长，目前仍担任此职。阿尔费罗夫著有4本专著，发表了500多篇科学论文，在半导体技术方面有50多项发明。有一颗小行星是以若尔斯·阿尔费罗夫的名字命名的(2001年)。最重要的奖项：富兰克林学会Ballantyne奖章(美国，1971年)；列宁奖(苏联，1972年)；Hewlett-Paccard欧洲物理学奖(1978年)；国家奖(苏联，1984年)；GaAs及相关化合物国际研究会奖及Heinrich Welker奖章(1987年)；A. P. Karpinskii奖(德意志联邦共和国，1989年)；A.F.Ioffe 奖(俄罗斯科学院，1996年)；Demidov奖(俄罗斯联邦，1999年)；A. S. Popov 奖章(俄罗斯科学院，2000年)；Nick Holonyak Jr. 奖(美国光学学会，2000年)；诺贝尔奖(瑞典，2000年)；Kyoto奖(Inamori基金会，日本，2001年)；国家奖(俄罗斯联邦，2001年)；V.I. Vernadskiy奖(乌克兰国家科学院，2001年)；金盘奖(美国成就学院，2002年)；国际光学工程学会金质奖章(国际光学工程学会，2002年)；全球能源奖(俄罗斯联邦，2005年)。

欢迎广大科研人员及研究生参加！