伍绍腾
个人简历：
个人简介：
伍绍腾，男，博士，研究员
2013年本科毕业于四川大学微电子学专业；2018年毕业于中国科学院大学，获得博士学位；2018-2019年及2019-2021年分别在英国谢菲尔德大学及新加坡南洋理工大学开展博士后科研工作；2022年4月起就职于中国科学院半导体研究所，2024年1月入选中国科学院高层次人才计划。
长期专注于硅光电子领域研究，特别聚焦于锗体系光电子材料与器件，目标是解决现阶段硅光电系统中硅基光源缺少、多材料集成难度高等难题。已在硅基材料外延、硅基发光及探测、及大尺寸GeOI衬底等取得了一定成果，包括实现大尺寸硅基高组分锗锡(≥12%)单晶、6-8英寸GeOI晶圆材料、探测率最高的锗锡探测器、12英寸硅衬底的锗锡LED发光器件、及8英寸绝缘层衬底的电注入垂直腔面锗锡光源器件等。
在学习和工作过程中，以第一作者或通讯作者身份在光电子领域核心期刊，如 Photonics Research、ACS Photonics、Applied Physics Letters、Optics Letters、 及IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics 等发表了19篇SCI 重要论文。 部分锗光源研究成果2023年被世界知名半导体媒介Semiconductor Today三次专刊报道。
主要研究领域方向：
硅基光源；硅基红外探测；晶圆级异质集成
欢迎有意向的同学报考研究生/博士生，实验室长期提供实习、联合培养和博士后工作机会。
联系方式：
E-mail：wst@semi.ac.cn
在研/完成项目：
1.中国科学院高层次人才项目（择优支持），2024-2027，在研，项目负责人
2. 北京市自然科学基金委面上项目，硅基中红外锗锡探测器及应变调控机制研究，2024-2026，在研，项目负责人
3. 北京市外籍高层次人才计划(国际合作)，见光波段光电芯片的异质集成，2023-2024，在研，项目负责人
4. 河南省科技研发联合基金重点项目-晶圆级绝缘层上锗（GeOI）材料及光电子器件，2023-2025，在研，项目负责人
5. 中国科学院半导体所青年科技人才推进计划，2023-2025，晶圆级异质集成晶圆键合，在研，项目负责人
6. 中国科学院先导 B 专项 -“传感-计算”共融的新一代半导体芯片及系统集成，2023-2027，在研，参与成员
代表性论文
1. Wu, S., Zhang, L., Wan, R., Zhou, H., Lee, K. H., Chen, Q., ... & Tan, C. S Ge 0.92 Sn0.08/Ge multi-quantum-well LEDs operated at 2-μm-wavelength on a 12-inch Si substrate. Photonics Research, 11(10), 1606-1612(2023).
2. Chen, Q., Jung, Y., Zhou, H., Wu, S.（通讯作者）, Gong, X., Huang, Y. C., ... & Tan, C. S. GeSn/Ge Multiquantum-Well Vertical-Cavity Surface-Emitting pin Structures and Diode Emitters on a 200 mm Ge-on-Insulator Platform.10 (6), ACS Photonics, 1716–1725(2023).
3. Wu, S., Zhou, H., Chen, Q., Zhang, L., Lee, K. H., Bao, S., ... & Tan, C. S. Suspended germanium membranes photodetector with tunable biaxial tensile strain and location-determined wavelength-selective photoresponsivity. Applied Physics Letters, 119(19), 191106(2021).
4. Wu, S., Wang, Z., Zhang, L., Chen, Q., Wen, S., Lee, K. H., ... & Luo, J. W. Enhanced light emission of germanium light-emitting-diode on 150 mm germanium-on-insulator (GOI). Optics Express, 31(11), 17921-17929(2023).
5. Wu, S., Zhou, H., He, L., Wang, Z., Chen, Q., Zhang, L., & Tan, C. S. Ge-on-Si avalanche photodiodes with photon trapping nanostructures for sensing and optical quantum applications. IEEE Sensors Journal, DOI: 10.1109/JSEN.2023.3271215(2023).
6. Wu, S., Xu, S., Zhou, H., Jin, Y., Chen, Q., Huang, Y. C., ... & Tan, C. S. High-performance back-illuminated Ge0.92Sn0.08/Ge multiple-quantum-well photodetector on Si platform for SWIR detection. IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics, 28, 1-9(2022).
7. Chen, Q., Wu, S.（共同一作）, Zhang, L., Burt, D., Zhou, H., Nam, D., ... & Tan, C. S. GeSn-on-insulator dual-waveband resonant-cavity-enhanced photodetectors at the 2 µm and 1.55 µm optical communication bands. Optics Letters, 46(15), 3809-3812(2021).
8. Zhou, H., Chen, Q., Wu, S.（通讯作者）, Zhang, L., Guo, X., Son, B., & Tan, C. S. Grating and hole-array enhanced germanium lateral pin photodetectors on an insulator platform. Optics Express, 30(4), 4706-4717(2022).
9. Wu, S., Son, B., Zhang, L., Chen, Q., Zhou, H., Goh, S. C. K., & Tan, C. S. Effects of high-temperature thermal annealing on GeSn thin-film material and photodetector operating at 2 µm. Journal of Alloys and Compounds, 872, 159696(2021).
10. Chen, Q., Wu, S.,（通讯作者） Zhang, L., Zhou, H., Fan, W., & Tan, C. S. Transferable single-layer GeSn nanomembrane resonant-cavity-enhanced photodetectors for 2 μm band optical communication and multi-spectral short-wave infrared sensing. Nanoscale, 14(19), 7341-7349 (2022).
