1、个人简介：娄文凯，中国科学院半导体研究所研究员，博士生导师。娄文凯于2005年获华中师范大学物理系物理学基地班学士学位，2008年在武汉大学物理学院获得硕士学位，2012年在半导体所超晶格室常凯研究员组获得博士学位。2009年-2011年在比利时安特卫普大学学术访问并获得博士学位。之后在半导体所超晶格室低维量子结构新奇物性研究组工作至今。发表SCI论文40余篇，其中PRL 5篇，Nature Nanotechnology 2 篇，Nature Communications 1篇。受邀参加国内外学术会议做邀请报告二十余次，获中国科学院青创进会资助，并被遴选为CPL,CPB,物理学报和中国物理四刊的青年编委会委员。主要运用k.p方法，CI构型方法和紧束缚等方法，研究是具有强自旋-轨道耦合低维半导体结构和自旋相关的介观系统中输运特性、新奇物理现象和光电效应。

2、主要科研方向：

1）低维半导体新奇物态及其相关介观输运研究；

2）二维材料激子物性及多体相互作用带来的关联物理效应；

3）多带k.p方法，CI构型方法、紧束缚方法和非平衡格林函数方法等凝聚态物理大规模并行计算方法的发展。

招生专业：070205-凝聚态物理。

招生方向：1）自旋电子学,拓扑绝缘体,新型二维材料；2）介观输运；3）准粒子多体相互作用。

3、主要学术成就：

1).我们提出利用半导体刻蚀技术制备拓扑绝缘体HgTe量子点的方案，首次发现量子点中电子回音壁模式【PRL2011】。

2).我们在InN/GaN量子阱中实现拓扑绝缘体相【PRL 2012】，首次打破窄能隙和重元素的限制，随后被实验组初步证实。

3).我们发现Ge/GaAs界面极化电场将锗薄膜驱动到拓扑相【PRL 2013】，被著名综述Rev. Mod. Phys.评论为四种二维拓扑绝缘体代表性方案之一。

4). 我们证明InAs/GaSb量子阱中存在激子绝缘体基态【NC2017】，随后被《Science》杂志Physics栏目编辑撰文推荐。

4、个人联系方式：

E-mail：wklou@semi.ac.cn； 办公电话：010-82305248

地址：北京市海淀区清华东路甲35号中国科学院半导体研究所7号科研楼205室

邮政编码：100083

5、在研/完成项目：

1). 基于界面耦合的量子霍尔态调控, 负责人, 国家任务, 2023-01--2026-12

2). II型半导体异质结激子绝缘体理论研究, 负责人, 国家任务, 2020-01--2023-12

3).极性超薄半导体量子阱非线性光学性质理论研究, 负责人, 国家任务, 2016-01--2019-12

4). 中国科学院青年创新促进会, 负责人, 中国科学院计划, 2015-01--2018-12

5)HgTe拓扑量子点少电子系统电子结构性质理论研究, 负责人, 国家任务, 2014-01--2016-12

6).半导体复合量子结构的量子输运机理及量子器件研究, 负责人, 国家任务, 2018-05--2023-06