吴江滨，男，博士，研究员，博士生导师。

1990年生。2012年毕业于华中科技大学电子科学与技术系，2017年在中国科学院半导体研究所获得博士学位，2017-2023年在美国南加州大学任博士后，2023年加入中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室，任研究员。

主要研究领域方向：

1. 新型低维材料的光电特性及其调控

2. 基于新型低维材料的半导体器件

主要学术成就：

致力于认知新型低维材料物性，提出基于此的新器件类型和工作机理，获得优异的性能：

1. 针对用于存算一体架构的RRAM（电阻式随机存储器）难以高精度编程的问题，采用原位导电通道观测技术，阐明了随机电报噪声对器件精度的影响机制，并提出噪声抑制的电气操作协议，实现多达2048个阻态的工业级RRAM阵列，使其向商用化应用迈进一大步。

2. 针对隧穿型忆阻器（铁电隧道结）无法兼顾硅工艺兼容性和大开关比的问题，研究了范德华异质结莫尔界面对层间耦合的影响，提出硅工艺兼容的半金属接触的范德华铁电隧道结，实现了高达10的7次方的开关比，为其在存算一体架构中的应用扫除一大障碍。

3. 针对感算一体架构对传感器可调控性的要求，研究了偏振、波长和磁性等调控元素对低维材料光响应的影响，开发了对偏振和波长敏感的中红外探测器，为其在感算一体架构的应用贡献新的思路。

以一作和通讯作者在 Nature, Nature Electronics, Nature Communications, Chemical Society Reviews, Advanced Materials (2篇), ACS Nano(4篇), Nano Letters (2篇)和IEDM等一流期刊或微电子顶级会议发表文章20篇，被引用超过7000次， H-index为32（谷歌学术），申请和获批专利多项。获得2018年中国科学院优秀博士论文和2016年中国科学院院长奖（优秀奖）等。