李健， 男，博士，副研究员，硕士生导师。

2009年本科毕业于西安电子科技大学光信息科学与技术专业，2012-2017年于中国科学院半导体研究所攻读博士学位，2017年7月至今在中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室工作。主要从事半导体光电子器件模拟和基于MOCVD的材料外延生长等工作。

主要研究方向包括：

硅基材料外延及硅基量子点/量子阱激光器、探测器的制备和表征，垂直(外)腔面发射激光器的外延生长及器件制备，半导体光电子器件的数值模拟等。依托主持或所参与项目，实现了硅基GaAs、InP等III-V族材料的高质量外延，在不引入超晶格等复杂位错过滤手段的条件下，仅通GaAs外延实现了无偏角硅(001)衬底上量子点激光器的室温连续激射，峰值输出功率138mW，最高工作温度65℃。基于Si基GaAs材料制备了硅基量子阱激光器，室温连续输出功率大于80mW，阈值电流密度747A/cm²。可以在900nm-1200nm的近红外波段范围内选择特定波长进行垂直外腔面发射激光器的设计、生长、制备和测试，近红外1064nm波段垂直外腔面发射激光器输出功率1.6W，倍频黄绿光激光输出功率大于24mW。除以上项目外，目前正在进行硅基红外、紫外探测器的材料生长和工艺优化。

联系方式：

E-mail: jalain@semi.ac.cn  办公电话：010-82304137

在研/完成项目

国家重点研发计划 2018YFE0203101 硅基InGaAs探测器制备 2019-2024 在研 主持

国家自然科学基金青年项目 62004190 基于HCG的垂直外腔面发射激光器制备 2021-2023 在研 主持

半导体所青年人才推进计划 MOCVD系统升级及硅基材料生长和激光器材料制备 2020-2023 在研 主持

信息光子学与光通信国家重点实验室(北京邮电大学)开放课题基金 IPOC2022A10 硅基量子阱激光器制备 2023-2024 在研 主持

代表性论文：

1. InAs/GaAs quantum-dot lasers grown on on-axis Si(001) without dislocation filter layers, Opt Express, 2023, DOI:10.1364/OE.475976

2. Vertical external cavity surface emitting lasers with emitting wavelength of 1040-1200nm grown by MOCVD, SPIE Semiconductor Laser and Applications X, 2020, DOI: 10.1117/12.2575482

3. Step-graded InAsP buffer layers with gradient interface grown via MOCVD, SN Appl. Sci., 2019, DOI: 10.1007/s42452-019-0606-1

4. Efficient self-consistent Schrodinger-Poisson-rate equation iteration method for the modeling of strained quantum cascade lasers, J. Phys. D: Appl. Phys., 2016, DOI: 10.1088/0022-3727/49/19/195106