毛 旭，中国科学院半导体研究所，集成技术工程研究中心，副研究员，硕士研究生导师。

2006年获中国电子科技集团电子科学研究院物理电子学专业博士学位，2006年至2009年，北京大学微电子研究院微电子学与固体电子学专业博士后，2009年至今在中国科学院半导体研究所开展超表面，超透镜，微纳光电器件，微机电系统器件、生化传感器、矢量水听器，开发晶圆级低温封装和大面积纳米压印方面工作。长期以来一直从事微纳光学器件和微机械传感器的研制、封装和测试方面研究，成功研制出纳米结构阵列的超表面和超透镜光学器件；研制出陷光薄膜太阳能电池；研制出用于旋转载体的硅微机械陀螺，基于SOI材料微机械加速度计，基于SOI材料MEMS 光开关，多层薄膜结构射频MEMS开关，高品质、高质量的微纳机电谐振器生化传感器等，具有测距和测向的MEMS矢量水听器；开发了低成本、高键合强度的聚合物、共晶或焊料、热压缩、局域加热等圆片级低温键合方法；开发了低成本，大面积的纳米压印方法，研制出纳米尺寸的柱状结构和光栅结构。经过多年的研究积累了扎实的理论基础和丰富的实践经验。近年来主持或参加科技部973、863项目及省部级科研项目10项，“Si基薄膜理论和实验研究”获云南省科学技术奖。申请专利17项，已授权专利5项，发表研究相关文章40多篇。

1992/09 – 1996/06 云南大学，物理系，学士

1996/09 – 1999/06 云南大学，物理系，硕士

1999/07 – 2002/09 云南大学，材料系，讲师

2002/09 – 2006/06 中国电子科技集团，电子科学研究院，博士

2006/09 – 2009/03 北京大学，微电子学研究院，博士后

2009/03 –至今 中国科学院半导体研究所，集成技术中心，副研究员

2017/11 –至今 中国科学院半导体研究所，元器件检测中心， 主 任

主要科研方向

超表面，超透镜，太阳能电池，微纳光电器件，MEMS器件，纳米压印，微纳系统封装

近年发表文章16篇（其中SCI 11篇，EI 5篇）

1.Xiaoling Chen, Qing Liu, Wen Liu, Xu Mao, Bo Wei,Chunxue Ji, Guiqiang Yang, Yidi Bao, Fuhua Yang, And Xiaodong Wang，Absorption Enhancement in GaAs Based Quantum Dot Solar Cells Using Double-sided Nanopyramid Arrays，Applied Optics，26， 62（2023）.SCI（4区，IF 1.9）；

2.Bo Wei, Xu Mao,Wen Liu,Chunxue Ji, Guiqiang Yang, Yidi Bao, Xiaoling Chen, Fuhua Yang, and Xiaodong Wang “Recent progress of surface plasmon enhanced light trapping in GaAs thin film solar cells”，Plasmonics，XX，XXX (2023) SCI（3区，IF 3.0）

3.Xuanran Peng, Jing Liu , Yaru Kang , Xu Mao , Wei Yan , Xiaohui Wang , Kong Liu , Rui Xu, Fuhua Yang, Zhaofeng Li, “Coupling of Photonic and Plasmonic Modes for Double Nanowire Cavities”, Photonics, 10, 415, (2023) SCI（3区，IF 2.276）

4.Di Feng, Zihao Niu, Jiayi Yang, Wei Xu, Shuangshuang Liu, Xu Mao, Xiuhan Li, “Flexible artificial synapse with relearning function based on ion gel-graphene FET”，Nano Energy，90,106526（2021）SCI (1区，IF 17.6 ),

5.Xu Mao, Wei-Wei Wei, Jin-Ling Yang, Fu-Hua Yang,“A Wafer-Level Sn-Rich Au–Sn Bonding Technique and Its Application in Surface Plasmon Resonance Sensors”, CHIN. PHYS. LETT., 31, 056803 (2014)SCI

6.Xu Mao, Jinling Yang, An Ji, and Fuhua Yang, “Two new methods to improve the lithography precision for SU-8 photoresist on glass substrate”, J. Microelectromech. Syst., 22, 124-130 （2013）SCI

7.Xu Mao, Zhiqiang. Fang, Zhe Zhang, Jinling Yang, Zhimei Qi, and Fuhua Yang, “Sn-Rich Au-Sn Hermetic Packaging at Wafer Level and Its Application in SPR Sensor”, IEEE-NMEM 2013, 244-247 (2013) EI

8.Xu Mao, Jinling Yang, An Ji, and Fuhua Yang, “Two new methods to improve the lithography precision for SU-8 photoresist on glass substrate”, IEEE MEMS 2012, Paris, France, Jan. 29 – Feb. 2, 337-340 （2012）EI

9.Xu Mao, Yumin Wei, Zhenchuan Yang, Guizhen Yan, “Fabrication of SOI MEMS Inertial Sensorswith Dry Releasing Process”, IEEESENSORS2009 Conference, 479-482 (2009) EI

10.Xu Mao, Zhenchuan Yang, Zhihong Li, Guizhen Yan , “The Method of Prevent Footing Effect in Making SOI Micro-mechanical accelerometer”, IEEE-NEMS 2009, 501-504 (2009) EI

11.Zhiqiang. Fang, Xu Mao,Jinling Yang, and Fuhua Yang“A Wafer-Level Sn-Rich Au-Sn Intermediate Bonding Technique with High Strength”, J. Micromech. Microeng. 23,095008 (2013) SCI

12.Xingdong Lv, Weiwei Wei, Xu Mao, Yu Chen, Jinling Yang, and Fuhua Yang, “A novel MEMS electromagnetic actuator with large displacement”, Sensors and Actuators A: Physical, 221（2015）SCI

13.Xingdong Lv, Weiwei Wei, Xu Mao, Jinling Yang, and Fuhua Yang, “A novel MEMS actuator with large lateral stroke driven by Lorentz force”, J. Micromech. Microeng. 25 (2015) SCI

14.Zhenchuan Yang, yumin Wei, Xu Mao, Guizhen Yan, A single-mask dry-release process for fabrication of high aspect ratio SOI MEMS devices, Science China-Technological Sciences, 56, 387-391 (2013) SCI

15.Yumin Wei, Xu Mao, Zhenchuan Yang, Guizhen Yan, “A single mask dry releasing process for making high aspect ratio SOI mems devices”, IEEE-NEMS 2010, Xiamen, China, （2010）EI

近年申请专利13项（其中已授权5项）

[1]毛 旭，余钢，赵永梅，魏博，申超，杨香，杨富华，王晓东，基于空间分区复用几何相位原理的 RGB 消色差超透镜结构, 2023-8-25，中国，202311091231.3(发明专利)

[2]毛 旭，余钢，赵永梅，魏博，申超，杨香，杨富华，王晓东，基于空间交错复用几何相位原理的 RGB 消色差超透镜结构, 2023-8-25，中国，202311085075X (发明专利)

[3]毛 旭,魏博, 余钢, 杨富华, 王晓东，全介质 X 字形凹槽超表面陷光结构 GaAs 基薄膜电池及其制备方法, 2023-8-8，中国，2023109949904 (发明专利)。

[4]申超，余钢，毛 旭，高晓梅，史建伟，朱汇，基于泄露波超表面的片上光力器件, 2023-07-05，中国，2023108211692 (发明专利)

[5]毛 旭，余钢，赵永梅，魏博，申超，王晓东，杨富华，极紫外超透镜结构及电子设备, 2023-4-27，中国，202310473493X (发明专利)

[6]刘 晶，康亚茹，彭轩然，李兆峰，颜 伟，刘 孔，王晓晖，毛 旭，杨富华，激光器微腔、激光器、发光装置，2023-3-17，中国，2023102586685 (发明专利)

[7]毛 旭，余钢，赵永梅，申超，王晓东，杨富华，超透镜结构及电子设备, 2023-2-17，中国，2023101424931 (发明专利)

[8]毛 旭，赵永梅，王晓东，杨富华，可变光衰减器阵列结构和电子设备, 2023-2-17，中国，2023101776979 (发明专利)

[9]毛 旭，魏伟伟，吕兴东，杨晋玲，杨富华，一种挡光式微机电可变光衰减器的制作方法，中国发明专利，授权专利号：ZL.201310511425.4。

[10]毛 旭，吕兴东，魏伟伟，杨晋玲，杨富华，阵列型微机电可变光衰减器，中国发明专利，授权专利号：ZL.201310561866.5。

[11]毛 旭，吕兴东，魏伟伟，杨晋玲，杨富华，一种挡光式微机电可变光衰减器，中国发明专利，授权专利号：ZL.201310510617.3。

[12]毛 旭，杨晋玲，杨富华，基于金锡合金键合的圆片级低温封装方法，中国发明专利，授权专利号：ZL.201010601975.1。

[13]毛 旭，方志强，杨晋玲，杨富华，基于局域加热技术的圆片级低温键合系统及装置，中国发明专利，授权专利号：ZL.201110343625.4。

主持和参与科研项目

（ 1 ）MEMS红外光学调制器研究, 参与, 国家任务, 2013-03--2014-12

（ 2 ）基于微纳谐振结构的高灵敏、原位快速生化检测方法研究, 参与, 国家任务, 2011-11--2013-12

（ 3 ）水环境监测无线网络微传感器芯片系统基础研究(封装研究), 参与, 国家任务, 2009-01--2013-12

（ 4 ）集成微流道及其肿瘤标志物检测中的应用, 参与, 国家任务,  2013-01--2015-12

（ 5 ）半导体器件测试系统的失效分析功能开发, 负责人, 中国科学院计划, 2016-09--2017-09

（ 6 ）纳米压印系统软模板制备功能开发, 负责人, 中国科学院计划, 2022-03--2024-09

（ 7 ）半导体硅器件工艺、测试及研制项目, 负责人, 企业委托, 2023-04--2024-12

（ 8 ）用于癌症标志物检测的高通量数字化纳米等离子体生化传感芯片研究, 参与, 国家任务, 2023-01--2026-12

获奖及荣誉

（1）毛旭，Si基多层膜材料的理论和实验研究，云南省科学技术奖，三等奖，2003。

（2）元器件检测中心于2019年获得了北京信息电子技术区域中心2018年度优秀集体奖