霍尔效应是美国物理学家霍尔发现的一种磁电效应，当电流流过导体时，如果在垂直于电流方向存在横向磁场，在洛伦兹里作用下，电子会偏向导体的一侧，则导体的横向上的电子密度呈现一面高一面低的情形，这样在导体横向上便产生了电势差，这种效应成为霍尔效应，这个电势差成为霍尔电势差。在半导体中同样有这种现象，但是半导体中有电子和空穴两种载流子，两种载流子分别向两个相反的方向。

　  由于在电流等其他条件不变的情况下，霍尔电势差与磁场强度是正比关系，所以霍尔效应是测量磁场强度的重要依据。

（马建立）