移动通信通信系统正逐渐向小型化、低功耗、低成本的方向发展，从而对射频（RF）元器件提出越来越高的需求。微机电系统（MEMS）技术将被用于制造谐振器、滤波器、开关和振荡器等射频元件。RF MEMS器件的优势在于具有高Q值，性能上可取代现有的分立射频元件，并且制造工艺与IC集成工艺兼容，可实现单片（SOC）无线系统。在移动通信系统中应用MEMS技术，最重要的目标不是在于分立MEMS元件的应用，而是最终实现系统级的应用，即MEMS技术与IC工艺结合制备出具有高选择特性的SOC无线系统，减少整个系统的复杂性，从本质上减少电源的消耗，且进一步提高无线通信系统的性能。

   目前国际上研究的RF MEMS元件的结构材料多为硅和多晶硅材料，我们则采用SiC材料作为结构材料，因为SiC材料具有极高的杨氏模量，相应具有极高的声速，采用SiC材料制备的RF MEMS器件，在相同结构的情况下，能比Si基RF MEMS器件具有更高的工作频率。且SiC材料具有优越的机械特性和热学特性，因此SiC RF MEMS器件可工作在高温、强辐射等极端恶劣的环境中。附图为集成技术中心研制的SiC RF MEMS器件－谐振器。