半导体超晶格的层状结构，白圈和灰圈代表两种材料的原子。  

    1970年美国IBM实验室的江崎和朱兆祥提出了超晶格的概念．所谓的超晶格就是指由两种（或两种以上）组分（或导电类型）不同、厚度d极小的薄层材料交替生长在一起而得到的一种多周期结构材料，如图所示。

    由于人们可以任意改变超晶格材料中不同薄膜层的厚度，因此人们可以控制它的周期长度。薄层厚度d远大于材料的晶格常数a，但接近于或小于电子的平均自由程（或其德布洛意波长）。由于这种复合材料的周期长度比各薄膜单晶的晶格常数大几倍或更长，因此取得“超晶格”的名称。

    超晶格的分类：（1）组分超晶格（I,II,III型超晶格）（2）掺杂超晶格（3）应变超晶格（4）其他类型超晶格。