稀磁半导体（Diluted Magnetic Semiconductor，DMS）：是指在非磁性半导体材料基体中通过掺入少量磁性过渡族金属元素或稀土金属元素使其获得铁磁性能的一类新型功能材料；所掺入的磁性金属原子替代了半导体基体晶格中部分阳离子所处的晶格位置，常用的制备方法有离子注入法（Ion implantation）、分子束外延法（MBE）、金属有机物化学气相沉积法（MOCVD）等多种工艺。目前已发现具有室温铁磁性能的稀磁半导体材料种类有(Cd, Mn)GeP2、(Zn, Mn)GeP2、ZnSnAs2、(Co, Ti)O2、ZnCrTe、用过渡族元素或稀土元素掺杂的GaN基和ZnO基DMS材料，其中GaN基和ZnO基DMS材料是国际上研究的热点方向。