PECVD（Plasma-Enhanced Chemical Vapour Deposition）即等离子体增强化学气相淀积。 PECVD法是很常用的SiO2、SiN等介质膜制备方法。它把含有构成薄膜元素的气体供给衬底，在射频电源产生的电磁场作用下使气体发生化学反应，在样品表面淀积薄膜。和LPCVD相比，PECVD反应温度低（＜380℃），速度快，对衬底没有限制，适合低温、小批量生产。
   中国科学院半导体研究所集成技术工程研究中心的PECVD为英国STS公司生产，在厚膜淀积方面居于世界领先水平。设备上下电极都有加温，可以有效减小侧壁和上电极的颗粒脱落并改善均匀性。