陈平，男，博士，研究员， 博士生导师。

中国科学院“青年创新促进会”会员。2003年毕业于中国科学技术大学物理系，获学士学位；2008年毕业于半导体所，获得博士学位并留所工作。

主要从事III族氮化物光电子材料的外延生长及器件应用研究，取得的学术成绩包括：1. 提出了一种由非掺杂复合波导层代替p型掺杂波导层的新型激光器结构，理论计算及实际测试表明可以有效地降低光场吸收损耗和电子泄漏电流；2. 在前期对GaN材料非线性光学性质的研究基础上，提出了在高阶光学性质的测量过程中外加电场对材料的光学参数的影响机制；3.基于AlN材料的负电子亲和势特性，开展了AlN冷阴极的电子发射特性研究，有望作为电子源获得实际应用。

主持国家自然科学基金青年项目、面上项目和中国科学院知识创新工程项目各一项；在Appl. Phys. Lett.、 J. Appl. Phys.等学术期刊上发表文章20余篇，目前是APL、JAP等国际期刊的审稿人。

主要研究领域或方向：

1. III族氮化物的MOCVD外延生长动力学过程；

2. 氮化镓基大功率紫光激光器的研制；

3. 氮化铝冷阴极材料的场发射特性及器件应用；

联系方式：

电子邮箱：pchen@semi.ac.cn；办公电话：010-82304208。

在研/完成项目：

1. 国家自然科学基金面上项目：负电子亲和势AlN冷阴极材料的平面电子发射特性研究，2014 -2017；

2. 国家自然科学基金重点项目：宽带隙半导体激光器关键科学问题研究，2013-2016；

3. 中国科学院青年创新促进会项目：2014-2017；

代表性论文或著作：

(1).P. Chen, D. G. Zhao*, M. X. Feng, D. S. Jiang, Z. S. Liu, L. Q. Zhang, D. Y. Li, J. P. Liu, H. Wang, J. J. Zhu, S. M. Zhang, B. S. Zhang, and H. Yang, High Power InGaN-based Blue-Violet Laser Diode Array with Broad-area Stripe, Chin. Phys. Lett. 30, 104205 (2013).

(2).P. Chen*, D. G. Zhao, Y. H. Zuo, D. S. Jiang, Z. S. Liu, and Q. M. Wang, Quadratic electro-optic effect in GaN-based materials, Appl. Phys. Lett. 100, 161901 (2012).

(3).P. Chen, M. X. Feng, D. S. Jiang, D. G. Zhao*, Z. S. Liu, L. Li, L. L. Wu, L. C. Le, J. J. Zhu, H. Wang, S. M. Zhang, and H. Yang, Improvement of characteristics of InGaN-based laser diodes with undoped InGaN upper waveguide layer, J. Appl. Phys. 112, 113105 (2012).

(4).P. Chen*, Y. H. Zuo, X. G. Tu, D. J. Cai, S. P. Li, J. Y. Kang, Y. D. Yu, J. Z. Yu, and Q. M. Wang, Interaction between the intrinsic second- and third-order optical fields in Al0.53Ga0.47N/GaN heterostructure, Applied Physics Letters, 92, 161112 (2008).

(5).P. Chen*, X. G. Tu, S. P. Li, J. C. Li, W. Lin, H. Y. Chen, D. Y. Liu, J. Y. Kang, Y. H. Zuo. L. Zhao, S. W. Chen, Y. D. Yu, J. Z. Yu, and Q. M. Wang, Enhanced Pockels effect in GaN/AlxGa1-xN superlattice measured by polarization maintaining fiber Mach-Zehnder interferometer, Applied Physics Letters, 91, 031103 (2007).