1、个人简介：

翟慎强，男，研究员，2014年中国科学院半导体研究所获得博士学位，中国科学院青促会会员，国家自然科学基金委优秀青年基金获得者。长期从事中远红外半导体量子级联激光器（QCL）的材料外延生长、器件物理及其应用研究。

2、主要科研方向

半导体低维材料外延生长、中远红外半导体光电子器件及应用

3、主要学术成就

在材料外延生长方面，通过有源区能带结构设计创新和生长方案优化，突破MOCVD生长QCL材料界面质量差的瓶颈，研制出3.5~11μm系列波长高性能QCL材料及器件，解决传统采用MBE生长存在的效率低、产能不足问题，对于推动QCL技术走向产业化应用具有重要意义；发展出基于AlAs插层的短中波红外（3~4μm）材料设计优化思路，研制出3.5μm、3.8μm、4.0μm等系列波长高性能量子级联激光器材料与器件；发展出多能态斜跃迁宽调谐材料结构，突破调谐范围小的瓶颈，研制出不同中心波长宽增益QCL材料与器件，大幅拓展调谐频谱范围，并成功应用于典型爆炸物TNT的高灵敏检测，灵敏度达到500ng/cm²，为爆炸物、危险品等新型传感应用提供全新技术路径。在ACS Photonics、Photonics research、Nano Research等期刊上发表SCI论文50余篇，申请发明专利20余项。

4.联系方式：邮箱zsqlzsmbj@semi.ac.cn电话：010-82304243