中国科学院半导体研究所固态光电信息技术研究室H组致力于研究III-V组化合物半导体单晶材料生长和衬底制备等工作研制高性能红外光电探测器及激光器用晶圆材料。根据工作需要，拟招聘研发人员1-2名，相关情况如下：

一、         工作方向：

半导体材料的晶体生长、化学腐蚀、表面处理及缺陷分析等相关研发工作

二、         岗位

III-V族化合物半导体材料的物理化学性质测试和相关工艺技术的研发工作

三、         人选要求：

（一）热爱科研工作，踏实努力，具有责任心和团队合作精神；

（二）具有如下专业背景（任一）：半导体物理、材料物理与化学、材料学、半导体材料或相近专业的优秀硕士毕业生或以上，博士优先；

（三）优先考虑具有如下至少一项研究背景与专长的申请者：

a)晶体材料生长技术：LEC、VGF等熔体法单晶生长技术；

b)半导体材料测试与表征技术：XRD、TEM、AFM、SIMS、RBS等；

c) 半导体材料化学腐蚀及表面性质研究；

（四）有在相关领域发表专业文章的经历；

（五）研究生优先考虑有半导体化学、工艺制备、测试表征、超净间工作经验者。

四、         相关待遇：

      1.   按照中国科学院及半导体研究所的相关规定办理五险一金，薪酬从优，面谈。

      2.   北京户口有望进入编制。

      3.   业绩突出者将享有项目绩效。

五、         应聘方式：

（1）应聘者需提交个人详细履历 和《岗位应聘申请表》，电子邮件方式发送至shenguiying@semi.ac.cn；

（2）初选合格者将电话或E-mail通知本人参加面试；

六、         联系方式：

有意者请将个人简历及能够体现个人能力的相关资料发送至: shenguiying@semi.ac.cn 电话：010-82304848

邮件主题中请注明“工程师岗位申请—XX（姓名）”，初选合格者将通知面试，未入选者恕不逐一回复。

注：团队欢迎在读研究生来所联合培养！