翟慎强，男，2014年中国科学院半导体研究所获得博士学位，中国科学院青促会会员，2022年获得国家自然科学基金优秀青年基金资助。长期从事半导体量子级联激光器（QCL）的材料外延生长、器件物理及其应用研究。通过有源区能带结构设计创新和生长方案优化，突破MOCVD生长QCL材料界面质量差的瓶颈，研制出高性能QCL材料及器件，解决传统采用MBE生长存在的效率低、产能不足问题，对于推动QCL技术走向产业化应用具有重要意义；发展出多能态斜跃迁宽调谐材料结构，突破调谐范围小的瓶颈，研制出不同中心波长宽增益QCL材料与器件，大幅拓展调谐频谱范围，并成功应用于高灵敏检测，为新型传感应用提供全新技术路径。在ACS Photonics、Photonics research、Nano Research等期刊上发表SCI论文50余篇，申请发明专利20余项。