金潮渊
金潮渊，男，博士，研究员，硕士生导师。
2000年毕业于南京大学，获物理学学士学位。2003年毕业于中国科学院半导体研究所，获微电子与固体电子学硕士学位。2008年毕业于英国谢菲尔德大学，获电子与电气工程博士学位。2008至2010年就职于日本神户大学，任日本学术振兴会研究员。2010至2015年就职于荷兰埃因霍温理工大学，历任博士后研究员和客座研究员。2013至2015年就职于荷兰EFFECT Photonics公司，任资深光子学科学家。2015年3月加入中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心，任研究员。
取得的重要科研成果：
致力于半导体微纳光子器件和光子集成的研究。在超快光学测试、半导体工艺、器件物理、和光子集成等专项技术上积累了可观的经验。主持并参与实现了量子点激光器、微腔光学开关、和单光子源等一系列微纳光子器件和光子结构。
（1）自发发射的非定域和超高速控制
首次实现了光子晶体微腔中自发发射的非定域（控制距离>30µm）和超高速（~200ps）控制。此技术可以广泛应用于各种腔量子电动力学系统。实现单光子源和量子比特的实时控制，以及微纳尺度的高速光子器件，如脉冲激光器和高速光学开关等。此结果作为2014年30大光学进展之一入选美国光学学会新闻月刊Optics and Photonics News 的“Optics in 2014”专题。并被Nature Photonics, SPIE Newsroom，和Phys.org等科学媒体广泛报道。
（2）飞焦能耗的光学开关
首次实现了飞焦能耗的和超高速的垂直腔量子点光学开关。开关能耗~1fJ/µm2，开关速度 ~20ps。在此实验基础上，建立起光学开关的速度和能耗之间的理论模型。阐明了以半导体微纳结构为基础的光学开关有可能突破开关速度和开关能耗之间的传统瓶颈，满足未来片上光网络对光学信号处理的要求。
（3）高性能的量子点激光器
实现了室温世界最低阈值激射（33A/cm2）的和温度不敏感（-20至50oC）的1.3微米调制掺杂量子点激光器。此结果表明量子点激光器在器件性能上优于传统的InGaAsP/InP量子阱激光器。
迄今为止（2015.08），共在国内外学术期刊上发表研究论文31篇和会议通讯论文4篇。其中包括Nature Nanotechnology 1篇，Applied Physics Letters 11篇，Physical Review系列2篇，IEEE Journal of Quantum Electronics 4篇，IEEE Photonic Technology Letters 1篇，Electronics Letters 3篇等。发表特邀综述论文一篇（Journal of Physics D）和专著一章（Springer）。参加国际学术会议40次，包括邀请报告8次。任EMN Ultrafast Meeting国际顾问委员会（International Advisory Committee）委员。
主要研究领域和方向：
(1) 半导体微纳光子器件，微腔光学开关和激光器；
(2) 超高速光子器件和光学测试；
(3) 量子光学器件的探索性研究；
(4) 微纳光子集成。
联系方式：
E-mail：jincy@semi.ac.cn； 电话：010-82304523
在研/完成项目：
项目名称：基于耦合微腔的光子晶体高速脉冲激光器；来源：自然科学基金面上项目；起止时间：2016.01-2019.12；项目主持人。
代表性论文：
1) C.Y. Jin*, R. Johne, M.Y. Swinkels, T.B. Hoang, L. Midolo, P.J. van Veldhoven, and A. Fiore, “Ultrafast nonlocal control of spontaneous emission,” Nature Nanotechnology, vol. 9, pp. 886-890, 2014.
2) C.Y. Jin*, O. Wada, “Photonic switching devices based on semiconductor nanostructures,” Journal of Physics D: Applied Physics vol. 47, pp. 133001(1-17), 2014. (特邀综述)
3) J. Yuan, C.Y. Jin*, M. Skacel, A. Urbańczyk, T. Xia, P.J. van Veldhoven, and R. Nötzel, “Coupling of InAs quantum dots to the plasmon resonance of In nanoparticles by metal-organic vapour phase epitaxy,” Applied Physics Letters vol. 102, pp. 191111(1-4), 2013.
4) C.Y. Jin*, O. Kojima, T. Kita, O. Wada, and M. Hopkinson, “Observation of phase shifts in vertical cavity quantum dot switches,” Applied Physics Letters vol. 98, pp. 231101(1-3), 2011.
5) C.Y. Jin*, S. Ohta, M. Hopkinson, O. Kojima, T. Kita, O. Wada, “Temperature-dependent carrier tunnelling for self-assembled InAs/GaAs quantum dots with a GaAsN quantum well injector,” Applied Physics Letters vol. 96, pp.151104(1-3), 2010.
6) C.Y. Jin*, O. Kojima, T. Kita, O. Wada, M. Hopkinson, and K. Akahane, “Vertical-geometry all-optical switches based on InAs/GaAs quantum dots in a cavity,” Applied Physics Letters vol. 95, pp. 021109(1-3), 2009.
7) C.Y. Jin*, H.Y. Liu, Q. Jiang, M. Hopkinson, and O. Wada, “Simple theoretical model for the temperature stability of InAs/GaAs self-assembled quantum dot lasers with different p-type modulation doping levels,” Applied Physics Letters vol. 93, pp. 161103(1-3), 2008.
8) C.Y. Jin*, H.Y. Liu, K.M. Groom, Q. Jiang, M. Hopkinson, T.J. Badcock, R.J. Royce, and D.J. Mowbray, “Effects of photon and thermal coupling mechanisms on the characteristics of self-assembled InAs/GaAs quantum dot lasers,” Physical Review B vol. 76, pp. 085315(1-12), 2007.
9) C.Y. Jin*, H.Y. Liu, S.Y. Zhang, Q. Jiang, S.L. Liew, M. Hopkinson, T.J. Badcock, E. Nabavi, and D.J. Mowbray, “Optical transitions in type-II InAs/GaAs quantum dots covered by a GaAsSb strain-reducing layer,” Applied Physics Letters vol. 91, pp. 021102(1-3), 2007.
10) C.Y. Jin*, T.J. Badcock, H.Y. Liu, K.M. Groom, R.J. Royce, D.J. Mowbray, and M. Hopkinson, “Observation and modeling of a room-temperature negative characteristic temperature 1.3 μm p-type modulation doped quantum dot laser,” IEEE Journal of Quantum Electronics vol. 42, pp. 1259-1265, 2006.
