冉军学，博士，副研究员，

2006年中国科学院半导体研究所获博士学位，同年留所工作，主要从事MOCVD设备与外延、氮化物宽禁带材料与器件研究。作为课题负责人或研究骨干参加了国家863、重点研发计划、自然基金项目、国家能源局以及广东省、山西省等多项科技项目研究。

参加研制出我国首台7片和48片两英寸氮化镓MOCVD工程样机，先后设计研制氮化镓、氮化铝、氧化镓和砷化镓等MOCVD设备10余台，实现国产化核心装备在科研和产业应用。负责开发出自主研制设备相匹配的外延工艺，解决了大型高温氮化铝MOCVD成核生长和非平衡气流抑制预反应等关键外延技术。开展了超宽禁带高铝组分微结构材料及氮化物功率器件研究，在肖特基界面特性和电流密度提升方面取得进展。

发表论文40余篇，授权国家发明专利20余项，MOCVD重大装备技术获中国科学院科技成果鉴定，曾获北京市科学技术二等奖一项。

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