魏学成，男，博士，副研究员，硕士生导师。

个人简介：

2007年7月毕业于中国科学院半导体研究所，获材料物理与化学专业博士学位；同年留所工作至今。目前主要从事III族氮化物材料的生长与表征，包括AlN单晶材料生长、金刚石单晶制备、半导体材料与器件的光学特性和效率提升技术、紫外LED模组可靠性和应用等相关研究工作。 

取得的重要科研成果： 

主要从事第三代半导体材料AlN单晶生长研究，设计搭建了国内最早的AlN单晶生长炉；开展金刚石单晶制备工艺和探测器研究；开展了LED内量子效率的研究，提出了LED量子阱结构优化和光学表征等创新性设计；开展LED效率提升技术研究；开展了紫外模组老化和可靠性研究，完成了紫外LED应用模组的开发设计。在Advanced Materials，Optics Letters，Optics Express，Applied Physics Letters等发表SCI论文70多篇，申请发明专利20余项，授权10余项（其中第一申请人授权3项），制定国家标准3项。

主要研究领域或方向： 

（1）AlN 和金刚石单晶生长研究

（2）LED发光特性和效率提升技术研究

（3）新型半导体材料和器件光学性质研究 

（4）紫外LED可靠性研究 

联系方式： 

电话：（010）82305304；E-mail：xcwei@semi.ac.cn

承担与参与的主要项目： 

（1）国家重点研发计划项目课题，AlGaN基深紫外LED中光提取效率提升新结构和新方法研究，课题负责人，2023.11-2026.10

（2）国家重点研发计划项目，在设施农业中紫外LED应用模组和系统技术应用，项目负责人，2020.11-2022.10

（3）国家自然科学基金面上项目，基于飞秒激光的高Al组分氮化物薄膜和量子结构的新型光学表征方法研究，项目负责人，2017.1-2020.12；

（4）国家重点研发计划项目子课题，基于微纳结构材料的单芯片全光谱LED技术研究，子课题负责人，2018.5-2020.4；

（5）基金委国家重大科研仪器研制项目，高铝组分氮化物材料外延及原位监测集成化设备研制，骨干，2016.1-2020.12。

代表性论文： 

（1）Xinwei Wang, Ruijie Zhang, Xuecheng Wei, Junxi Wang, and Ning Zhang, Realization of Highly Efficient InGaN Green Light-Emitting Diodes with Laser-Annealed Multiple-Quantum Well Structures: Formation of Quantum Dot Structures, ACS Applied Optical Materials 2023 1 (1), 32-40

（2）Chunyan Cheng, Xuejiao Sun, Zhiwei Yao, Chenghao Bi , Xuecheng Wei, Junxi Wangand Jianjun Tian, Balancing charge injection in quantum dot light-emitting diodes to achieve high efficienciy of over 21%, Sci China Mater 2022, 65(7): 1882–1889

（3）Chenghao Bi, Zhiwei Yao, Xuejiao Sun, Xuecheng Wei, Junxi Wang, and Jianjun Tian, Perovskite Quantum Dots with Ultralow Trap Density by Acid Etching-Driven Ligand Exchange for High Luminance and Stable Pure-Blue Light-Emitting Diodes, Adv. Mater. 2021, 33, 2006722

（4）The Optical Properties of Dual-Wavelength InxGa1-xN/GaN Nanorods for Wide-Spectrum Light-Emitting Diodes, Journal of Electronic Packaging,SEPTEMBER 2020, Vol. 142 / 031104

（5）L. Zhang, Y. N. Guo, J. C. Yan, Q. Q. Wu, X. C. Wei, et al. Deep ultraviolet light-emitting diodes with improved performance via nanoporous AlGaN template Optics Express 27(4):4917, February 2019

标准制定：

（1）齐俊杰、魏学成、闫丹等，《氮化铝材料中痕量元素（镁、镓）含量及分布的测定 二次离子质谱法》，GB/T 42274-2022

（2）魏学成，赵丽霞，王军喜，曾一平，李晋闽等，《LED发光用氮化镓基外延片》，GB/T 30854-2014

（3）魏学成，赵丽霞，王军喜，曾一平，李晋闽等，《氮化物LED外延片内量子效率测试方法》，GB/T 30655-2014