姜丽娟，女，博士，副研究员，硕士生导师。

1983年4月生，2009年7月毕业于中国科学院半导体研究所，获材料物理与化学专业博士学位；目前主要从事III族氮化物材料和器件研究，主要包括MOCVD装备研发、GaN基异质结构材料外延生长、GaN基微波功率器件研制等相关研究工作。迄今已在国内外几种主要学术刊物上发表氮化物材料和器件研究论文30余篇，国家发明专利16项。

所获奖励：

2012年获北京市科学技术二等奖

主要研究领域方向：

GaN基异质结构材料外延生长和GaN基微波功率器件研制。

联系方式：

E-mail：ljjiang@semi.ac.cn： Tel：010-82304140

在研项目：

高技术项目：Si基GaN微波器件研究

科技部专项子课题：Si 衬底上高耐压GaN 基材料及器件结构外延生长技术

自然科学基金面上项目： GaN基高增益模式光电导开关

代表性论文：

1. Gate Leakage and Breakdown Characteristics of AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors with delta-Fe Delta-Doped Buffer，Nanoscience and Nanotechnology Letters, 2018, 10(2):185–189.

2. Trapping Effects Induced by Gate OFF-state Stress in AlGaN/GaN HEMTs with Fe-doped buffer, Journal of Nanoscience and Nanotechnology, 2018 , Vol.18,1-5

3. Influence of Fe in the buffer layer on the laser lift-off of AlGaN/GaN HEMT film: phenomena and mechanism. Semicond. Sci. Technol. 35 ,095024 (7pp) (2020)