黄昆，固体物理、半导体物理学家。原籍浙江，1919年9月生于北京。1941年毕业于燕京大学。1948年获英国布里斯托尔大学博士学位。1980年当选为瑞典皇家科学院外籍院士。1985年当选为第三世界科学院院士。中国科学院半导体研究所名誉所长。主要从事固体物理理论、半导体物理学等方面的研究并取得多项国际水平的成果，是中国半导体物理学研究的开创者之一。20世纪50年代与合作者首先提出多声子的辐射和无辐射跃迁的量子理论即“黄-佩卡尔理论”；首先提出晶体中声子与电磁波的耦合振动模式及有关的基本方程（被誉为黄方程）。40年代首次提出固体中杂质缺陷导致 X光漫散射的理论（被誉为黄散射）。证明了无辐射跃迁绝热近似和静态耦合理论的等价性，澄清了这方面的一些根本性问题。获2001年度国家最高科学技术奖。1955年当选为中国科学院院士（学部委员）。