游经碧
游经碧,男,博士,研究员,博士生导师。
1982年2月出生于湖北。2005年毕业于湖北大学电子科学与技术系;2010年于中国科学院半导体研究所获博士学位;2010年至2015年在美国加州大学洛杉矶分校(UCLA)材料科学与工程系从事博士后研究工作;2015年加入中国科学院半导体研究所材料科学重点实验室。
重要科研成果:
长期从事有机及有机/无机杂化半导体光电器件研究工作,取得了一系列创新性研究成果:1)提出稳定反型有机叠层电池结构,研制出转换效率为10.6%有机叠层电池,作为世界纪录被美国可再生能源国家实验室(NREL)发表的Best Research Cell Efficiencies收录;2)提出有机盐钝化钙钛矿表面缺陷的方法,先后研制出转换效率为23.3%,23.7%钙钛矿太阳能电池,连续两次作为世界纪录被NREL发表的Best Research Cell Efficiencies收录;3)提出解决钙钛矿电池广泛存在的电滞问题的界面调控方法,为准确评估钙钛矿电池效率提供基础;4)研制出光照稳定的全无机钙钛矿电池;5)研制出当时发光效率最高的钙钛矿发光二极管。近年来,发表学术论文79篇,通讯/第一作者Nature系列研究论文10篇,其中1篇引用超过2000次,全部论文总共被SCI引用16000余次。
所获奖励:
1.北京市青年拔尖人才(2016年)
主要研究领域方向:
1. 新一代高效太阳能电池
2. 新型半导体光电材料与器件