中科院半导体所在国内最早开展了GaN基微电子材料和器件的研究工作，通过自主创新，突破了2英寸GaN基高频大功率微电子材料设计、外延生长的关键科学技术。取得如下成果：

1、掌握了具有自主知识产权的2英寸GaN基高频大功率微电子材料制备的关键科学技术，研制的蓝宝石和碳化硅衬底HEMT材料室温二维电子气迁移率分别达到2185 cm2/Vs和2215 cm2/Vs，平均方块电阻在240-400Ω/□之间可调，方块电阻不均匀性最好可小于1%，实现了小批量供片。为国际领先水平。

2、发展了高阻GaN外延材料的MOCVD制备技术，用具有自主知识产权的新方法，研制出的高阻GaN外延材料为国内领先水平，达到国际先进水平。

3、攻克了高迁移率GaN外延材料的MOCVD制备技术，研制出的高迁移率GaN外延材料性能指标为国内领先、达到国际同期先进水平。

4、研究了AlGaN/GaN异质结构材料自发和压电极化对材料电学性能的影响，设计了若干具有特色的AlGaN/GaN HEMT结构。

5、用所研制的材料与器件研制单位合作，研制出了高性能的C波段和X波段GaN HEMT功率器件。2004年研制成功我国第一支国产X波段GaN HEMT功率器件， 2007年和2008年研制出性能为国内领先、国际先进水平的X波段GaN功率器件和国内第一块GaN功率MMIC。