| 成果编号: | |
| 成果名称: | |
| 获奖名称: | 高性能大功率LEDs外延、芯片及应用集成技术 |
| 获奖类别: | 北京市科学技术奖 |
| 获奖等级: | 一等奖 |
| 授奖部门: | 北京市 |
| 获奖时间: | 2012年 |
| 主要完成人: | 李晋闽、王国宏、王军喜、伊晓燕、刘喆、梁毅、杨富华、曾一平、王良臣、刘志强、梁辉妙、王晓东、杨华、赵保红、 闫建昌 |
| 登记人: | |
| 开始日期: | 2012年 |
| 结束日期: | 2012年 |
| 完成单位: | 中国科学院半导体研究所、北京朗波尔光电股份有限公司 |
| 成果介绍: | 本项目拥有国际独创性的自主知识产权技术，有效的解决了在高性能大功率LEDs领域核心专利缺失的关键问题，以实现高性能、高可靠性大功率LEDs为目标，围绕半导体照明用LEDs的衬底、外延、芯片及封装应用等技术领域，沿着结构－器件－性能-产品应用这一研究主线，建立了完善的技术发明创新体系，有效解决了从基础研究、前沿技术、应用技术到产业化示范半导体照明全产业链的关键技术，重点突破核心器件发光效率和可靠性两大技术瓶颈，在低热阻倒装背孔结构LED、复合光学膜、垂直结构LED技术、纳米图形衬底制备及其外延技术、自支撑氮化镓衬底LED技术、基于深紫外LED的新型半导体照明技术及创新应用、驱动及多功能应用方面取得了创新点，获得了包括两项美国授权发明专利在内的多项授权专利，LED的综合性能指标达到同类领先水平。培育高素质的创新团队，推动产业链和创新链向高端发展，培育龙头品牌企业，形成特色产业基地与产业集群。推动节能减排和拉动内需规划的实施，培育新的增长点，形成具有国际竞争力的战略性新兴产业。 |
