成果编号:
成果名称:
获奖名称: 硅材料原生缺陷图谱、硅材料诱生缺陷图谱
获奖类别: 国家科学技术进步奖
获奖等级: 三等奖
授奖部门: 国务院
获奖时间: 1992年
主要完成人: 张一心等
登记人:
开始日期: 1992年
结束日期:
完成单位: 中国科学院半导体研究所等
成果介绍: