成果编号:
成果名称:
获奖名称: 可控电参数的低位错磷化铟单晶制备
获奖类别: 国家科学技术进步奖
获奖等级: 三等奖
授奖部门: 国务院
获奖时间: 1985年
主要完成人: 叶式中 刘巽琅 刘思林 孙同年 焦景华
登记人:
开始日期: 1985年
结束日期:
完成单位: 中国科学院半导体研究所
成果介绍: