成果编号:
成果名称:
获奖名称: 硅材料原生缺陷图谱、硅材料诱生缺陷图谱
获奖类别: 机电部科技进步奖
获奖等级: 二等奖
授奖部门:
获奖时间: 1990年
主要完成人: 张一心 菜田海 高维滨
登记人:
开始日期: 1990年
结束日期:
完成单位: 中科院半导体研究所
成果介绍: