成果编号:
成果名称:
获奖名称: 半导体低维结构光学与输运特性
获奖类别: 国家自然科学奖
获奖等级: 二等奖
授奖部门: 国务院
获奖时间: 2009年
主要完成人: 李树深,孙宝权,李新奇,江德生,夏建白
登记人: 樊志军
开始日期: 2009
结束日期:
完成单位: 中国科学院半导体研究所
成果介绍:
本成果属物理与天文学科学学科中的凝聚态物理学领域,在半导体低维结构的光学与输运特性方面的4个主要方向:电子结构、光学性质、输运特性、量子输运测量进行了系统研究。①提出了任意形状及任意个数半导体量子点电子结构及杂质态的计算方案,确定了超元胞法计算低维半导体电子结构的大元胞尺寸及平面波数,得到广泛应用。②给出了在直流电场作用下半导体超晶格稳态高场畴的形成及隧穿机制,自维持振荡原理。③利用光伏测量方法研究量子点电子态的量子化效应,证实了量子点具有分立的量子化能级。④提出了依赖隧穿电子数的条件量子主方程,它不依赖具体系统和量子态表象,具有应用广泛和方便的优点。⑤建立了计算电流涨落谱的方法,突破了已有理论的大电压极限。