我单光子量子雷达完成远程探测试验
BaCaTiO铁电晶体中的三维非线性光子晶体
新疆理化所中红外非线性光学晶体材料研究取得进展
基于级联四波混频产生三组分量子关联光束的成对量子关联的实验研究
全新硅芯片能精准分发光信号
上海光机所在X射线波段的中国太极相移全息成像研究方面取得进展
回音壁模式光学探针—推动微腔传感走向实用的新突破
光学孤子分子形成过程中的复杂孤子互作用
近表面光源在磁场下的光发射路由现象
第三代半导体器件制备及评价技术取得突破
官方微信
友情链接

近表面光源在磁场下的光发射路由现象

2018-09-13

磁光效应(Magneto-opticalphenomena),如法拉第(Faraday)和克尔效应(Kerr effect),在控制介质中传播的光场偏振和强度方面起着重要作用。其中,光的出射方向对外部磁场的取向有着一定的依赖关系,被称为强度效应(intensityeffect),因其可以用于光的路由控制,因而引起了人们极大的研究兴趣。到目前为止,已知利用强度效应来控制光发射的应用都是沿着平行于磁场的轴线方向。近日,来自德国多特蒙德工业大学、俄罗斯科学院Ioffe研究所、波兰科学院的研究团队报道了一类新的光发射现象,即位于表面附近的光源方向垂直于外部磁场的施加方向,他们称之为光发射的横向磁性路由(transversemagnetic routing)。作为这种效应的原理性证明,研究人员在稀磁半导体量子阱中(diluted-magnetic-semiconductorquantum well)展示了激子(exciton)发射的路由现象,并且在等离子体-半导体的杂化结构中观测到对方向性的增强效率高达60%。相关研究发表在近期的《Nature Physics》上。

(来源:光电汇



关于我们
下载视频观看
联系方式
通信地址

北京市海淀区清华东路甲35号 北京912信箱 (100083)

电话

010-82304210/010-82305052(传真)

E-mail

semi@semi.ac.cn

交通地图
版权所有 ? 中国科学院半导体研究所

备案号:京ICP备05085259号 京公网安备110402500052 中国科学院半导体所声明